C30B 23/06 — нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала
Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии
Номер патента: 15905
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна
МПК: C30B 23/06, C30B 29/48, G02B 1/10...
Метки: селенида, цинка, эпитаксиальных, пористом, способ, пленок, выращивания, кремнии
Текст:
...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...
Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов
Номер патента: 15120
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна
МПК: C30B 29/10, C01G 28/00, C30B 23/06...
Метки: получения, основе, материалов, способ, гетероструктуры, полупроводниковых
Текст:
...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...
Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3
Номер патента: 14780
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич
МПК: C30B 29/32, H01L 27/00, C30B 23/06...
Метки: пленок, наноразмерных, получения, способ, baxsr1-xtio3
Текст:
...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...