C30B 29/48 — соединения типа A
Способ термической обработки шихты для выращивания кристаллов селенида цинка
Номер патента: 16033
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Якимович Владимир Никифорович, Левченко Владимир Иванович
МПК: C30B 29/48, C30B 23/00
Метки: селенида, термической, обработки, способ, шихты, кристаллов, выращивания, цинка
Текст:
...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...
Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии
Номер патента: 15905
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна
МПК: C30B 29/48, G02B 1/10, C30B 23/06...
Метки: пленок, кремнии, цинка, селенида, пористом, выращивания, способ, эпитаксиальных
Текст:
...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...