Турцевич Аркадий Степанович

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Токарев Владимир Васильевич, Шамягин Виктор Павлович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, диода, шоттки, способ

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Номер патента: 12893

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: алюминия, диффузии, композиция, кремний, пленкообразующая

Текст:

...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...

Номер патента: 12549

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Добриян Татьяна Сергеевна, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович, Козюк Викентий Геннадьевич

МПК: C04B 41/88

Метки: пасты, состав, керамики, металлизационной, получения, алюмооксидной

Текст:

...металлизационной пасты более 20,0 мас. , молибдена менее 79,0 мас. , борида молибдена более 1,0 мас.происходит избыточное образование стеклофазы, приводящее к тому, что межзеренное пространство молибденовой металлизации заполняется диэлектрической средой, обеспечивая высокую адгезионную прочность сцепления металлизации с керамикой. Однако при этом диэлектрическая среда снижает электропроводность металлизированного слоя и затрудняет...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Выговский Станислав Вячеславович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Горобец Григорий Александрович, Осипов Александр Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/00

Метки: мощного, корпус, полупроводникового, прибора

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Номер патента: 12019

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: высоковольтный, биполярный, транзистор

Текст:

...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: кристалла, способ, присоединения, прибора, кристаллодержателю, полупроводникового, кремниевого

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: B05D 5/12, C23C 16/455, H01L 21/02...

Метки: осаждения, поликристаллического, способ, пленки, кремния, полуизолирующего

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Емельянов Виктор Андреевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, изготовления, способ, шоттки

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Номер патента: 11692

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Выговский Станислав Вячеславович, Добриян Татьяна Сергеевна, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: B28B 1/00, C04B 35/10

Метки: керамических, шликер, горячего, деталей, литья

Текст:

...уменьшенной усадкой, что снижает дефектообразование в процессе снятия деталей из отливаемой пресс-формы. При содержании полипропиленгликоля-2000 в шликере менее 1 мас. , воска менее 0,2 мас. , олеиновой кислоты менее 0,2 мас.происходит расслоение шликера и не обеспечивается однородная плотность отливки, возникают раковины внутри керамических деталей и на поверхности. Также при литье керамических деталей происходит неполное заполнение...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, твердых, бора, получения, интегральных, схем, источников, композиция, изготовлении, приборов

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, многослойное, полупроводниковых, покрытие, высоковольтных, пассивирующее

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: диода, способ, шоттки, изготовления

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: пассивации, тиристора, переходов, способ, меза-канавкой

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Кресло Сергей Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: примесей, диффузии, приборов, акцепторных, пластины, силовых, полупроводниковых, кремниевые, изготовления, способ

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, диффузии, способ, полупроводниковых, твердых, бора, источников, изготовлении, микросхем, приборов

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: источников, интегральных, схем, способ, бора, планарных, твердых, изготовления, полупроводниковых, приборов, создании

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, диода, изготовления, шоттки

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: прибора, металлизация, полупроводникового

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Жигалко Игорь Борисович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: высоковольтного, мощного, способ, дмоп, транзистора, изготовления

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 10260

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Авдеев Сергей Мартинович, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатолиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: C23C 16/00

Метки: наращивания, блок, эпитаксиального, установки, реакторный

Текст:

...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/66

Метки: шоттки, диод

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Баранов Валентин Владимирович, Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: молибдена, нанесения, полупроводниковые, подложки, пленки, способ

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: источник, диффузии, бора, приборов, интегральных, твердый, планарный, изготовления, схем, полупроводниковых

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9560

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Чапкович Анатолий Сергеевич

МПК: C23C 14/34

Метки: узел, катодный

Текст:

...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: стороны, формирования, металлизации, способ, кремниевой, пластины, обратной

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/872, H01L 21/329

Метки: изготовления, способ, диода, шоттки

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Малый Игорь Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, интегральных, конденсатор

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Мойсейчук Константин Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Бересневич Людмила Брониславовна, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/225

Метки: полупроводниковых, изготовлении, получения, композиция, бора, твердых, пленкообразующая, источников, приборов

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Войтех Сергей Николаевич, Дудкин Александр Иванович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: конденсатор, микросхем, интегральных

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Номер патента: 8992

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Шкуратов Александр Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C23C 16/40, H01L 21/316, C23C 16/455...

Метки: получения, способ, стекла, пленки, борофосфоросиликатного

Текст:

...откачке.Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено.Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Подача в реактор паров ТЭОС, ФСС и БСС после стабилизации их потоков продувкой паров, минуя реактор(сначала по сбросовь 1 м магистралям пары реагентов подаются на скруббер, производится стабилизация их потоков, а затем переключением соответствующих клапанов производится...

Номер патента: 8991

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Становский Владимир Владимирович, Шкуратов Александр Георгиевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 16/40, H01L 21/316, C23C 16/455...

Метки: пленки, способ, стекла, фосфоросиликатного, осаждения

Текст:

...реактор, после осаждения пленки фосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу в реактор паров фосфоросодержащего соединения,осаждают адгезионный слой двуокиси кремния толщиной 10-25 нм без изменения температуры реактора и давления и прекращают подачу паров тетраэтоксисилана, при этом в качестве фосфоросодержащего соединения используют диметилфосфит, триэтилфосфит,триметилфосфит или триметилфосфат, дополнительно...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Кавунов Андрей Петрович

МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...

Метки: прибора, металлизация, полупроводникового

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/60, H01L 23/48, H01L 23/482...

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристаллодержателю, кремниевого, присоединения, прибора, кристалла, полупроводникового, способ

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Шкуратов Александр Георгиевич

МПК: C23C 16/24, H01L 21/365

Метки: слоев, кремния, поликристаллического, способ, формирования

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристаллодержателю, прибора, присоединения, кремниевого, способ, полупроводникового, кристалла

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Карпов Иван Николаевич, Кузик Сергей Владимирович, Пеньков Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/328, H01L 29/47...

Метки: способ, диода, шоттки, изготовления

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/308

Метки: изготовления, поликристаллического, кремния, способ, конденсатора, обкладки

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Аношин Валерий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Захарик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/316

Метки: структур, планаризации, способ, кремниевых

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....