H01L 23/00 — Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/00

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 6965

Опубликовано: 28.02.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются высокой адгезией к поверхности кремниевой подложки, в том числе окисленной. В процессе формирования геттера они взаимодействуют с оксидом кремния, образовавшимся на поверхности подложки в результате хранения или химической отмывки, и восстанавливают его до кремния. Образовавшийся оксид титана или тантала легко растворяется в силициде,в результате чего...

Корпус мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Выговский Станислав Вячеславович, Осипов Александр Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Горобец Григорий Александрович

МПК: H01L 23/00

Метки: прибора, корпус, мощного, полупроводникового

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...