Паращук Валентин Владимирович
Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур
Номер патента: 14404
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Беляева Ада Казимировна, Телеш Евгений Владимирович, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02, H01S 3/04...
Метки: теплоотводящего, диодных, лазерных, изготовления, способ, структур, алмазного, основания
Текст:
...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...
Лазер с поперечной диодной накачкой
Номер патента: U 6445
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Безъязычная Татьяна Владимировна, Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Паращук Валентин Владимирович, Кабанов Владимир Викторович, Богданович Максим Владимирович, Тепляшин Леонид Леонидович, Рябцев Геннадий Иванович, Соколов Сергей Николаевич, Микаелян Геворк Татевосович, Григорьев Александр Викторович
МПК: H01S 3/08
Метки: накачкой, лазер, поперечной, диодной
Текст:
...накачкой включает твердотельный активный элемент, помещенный в резонатор, образованный двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Твердотельный активный элемент лазера выполнен в форме параллелепипеда, четыре боковые поверхности которого расположены под углом 90 друг к другу. Две другие торцевые противоположные поверхности расположены...
Способ сборки лазерных структур на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора
Номер патента: 13388
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Рябцев Андрей Геннадьевич, Шишенок Николай Александрович, Шишенок Елена Михайловна, Леончик Сергей Викентьевич, Паращук Валентин Владимирович, Красковский Андрей Сергеевич, Кабанов Владимир Викторович, Микаелян Геворк Татевосович, Жиздюк Татьяна Борисовна, Титовец Сергей Николаевич, Щемелев Максим Анатольевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Беляева Ада Каземировна, Соколов Сергей Николаевич, Богданович Максим Владимирович, Тепляшин Леонид Леонидович, Пожидаев Александр Викторович, Рябцев Геннадий Иванович
МПК: H01S 5/00, H01L 33/00
Метки: основании, нитрида, теплоотводящем, бора, керамики, лазерных, сборки, способ, структур
Текст:
...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...
Способ получения контактного соединения активного элемента диодного лазера, выполненного в виде лазерного диода или диодной линейки
Номер патента: 12719
Опубликовано: 30.12.2009
Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Щемелев Максим Анатольевич, Енжиевский Алексей Иванович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Пожидаев Александр Викторович, Микаелян Геворк Татевосович, Соколов Сергей Николаевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Жиздюк Татьяна Борисовна, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович
МПК: H01L 21/02, H01S 3/00
Метки: диодной, элемента, лазерного, соединения, или, виде, контактного, диодного, диода, лазера, выполненного, получения, активного, линейки, способ
Текст:
...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...
Слэб-лазер с диодной накачкой
Номер патента: U 4745
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Богданович Максим Владимирович, Щемелев Максим Анатольевич, Рябцев Андрей Геннадьевич, Енжиевский Алексей Иванович, Рябцев Геннадий Иванович, Красковский Андрей Сергеевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Паращук Валентин Владимирович, Титовец Сергей Николаевич, Пожидаев Александр Викторович, Тепляшин Леонид Леонидович
МПК: H01S 3/08
Метки: диодной, накачкой, слэб-лазер
Текст:
...двумя зеркалами, и устройства диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Радиус цилиндрической поверхности активного элемента, расстояние от лазерных диодных линеек до активного элемента и геометрические размеры активного элемента выбраны так, что все излучение лазерных диодных линеек попадает в активный элемент, полностью заполняя его боковые цилиндрические поверхности, которые коллимируют излучение лазерных диодных линеек в...
Лазер с поляризованным излучением
Номер патента: U 2749
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Красковский Андрей Сергеевич, Руховец Владимир Васильевич, Рябцев Геннадий Иванович, Буров Леонид Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Батюшков Валентин Вениаминович, Паращук Валентин Владимирович, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Машко Василий Вячеславович, Енжиевский Алексей Иванович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Щемелев Максим Анатольевич
МПК: H01S 3/094
Метки: поляризованным, излучением, лазер
Текст:
...является создание лазера, излучающего поляризованное излучение без какого-либо поляризационного устройства, помещаемого внутрь резонатора. Для решения поставленной задачи авторами был создан лазер с поляризованным излучением, состоящий из твердотельного активного элемента цилиндрической формы, помещенного в резонатор, образованный двумя зеркалами, и устройства поперечной диодной накачки, отличающийся тем, что в качестве активного элемента...