Патенты с меткой «эпитаксиальная»
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)
Номер патента: 15752
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/302
Метки: 001, кремниевая, эпитаксиальная, ориентации, структура
Текст:
...к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)
Номер патента: 15465
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: структура, эпитаксиальная, кремниевая, 001, ориентации
Текст:
...структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что при...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: 15361
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302, H01L 21/02
Метки: кремниевая, эпитаксиальная, структура, 111, ориентации
Текст:
...Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости ( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных концами на обратной стороне...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)
Номер патента: 15360
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/302
Метки: 001, эпитаксиальная, ориентации, кремниевая, структура
Текст:
...чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом направлении 100 или 010 приводит к генерации дислокаций в плоскостях (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: 14912
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: ориентации, структура, кремниевая, 111, эпитаксиальная
Текст:
...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: 14949
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: ориентации, кремниевая, структура, эпитаксиальная, 111
Текст:
...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)
Номер патента: U 6683
Опубликовано: 30.10.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: 001, кремниевая, структура, ориентации, эпитаксиальная
Текст:
...дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй, уровень кристаллографических дефектов(дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей элементов рисунка по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и оставление центральной части...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)
Номер патента: U 6678
Опубликовано: 30.10.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: 001, структура, кремниевая, ориентации, эпитаксиальная
Текст:
...элементов), глубина проник 5 66782010.10.30 новения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый,...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: U 6405
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович
МПК: H01L 21/02
Метки: 111, ориентации, кремниевая, эпитаксиальная, структура
Текст:
...дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется фрактальная структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: U 6404
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 21/02
Метки: ориентации, структура, эпитаксиальная, 111, кремниевая
Текст:
...результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом рисунка. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: U 6341
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: 111, эпитаксиальная, кремниевая, структура, ориентации
Текст:
...Наличие контролируемых нарушений на обратной стороне пластины в одном из направлений 1 1 0 , 1 0 1 или 0 1 1 позволяет сформировать сетку дислокаций в строго определенных кристаллографических плоскостях, а именно в плоскостях (1 1 0) и (1 1 1) ,(1 0 1) и (1 1 1) или (0 1 1) и (1 1 1) попарно, соответственно выбранному кристаллографическому направлению. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)
Номер патента: U 6340
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: кремниевая, ориентации, 001, эпитаксиальная, структура
Текст:
...типа 111, пересекающие рассматриваемые кристаллографические плоскости генерации дислокаций под углом 3516, не могут препятствовать прорастанию дислокаций на рабочую поверхность в связи с тем, что они наклонены к поверхности пластины, и энергия образования дислокаций в этих плоскостях выше, чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом...