Патенты с меткой «111»
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: 15468
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302, H01L 33/16
Метки: полупроводниковая, кремниевая, ориентации, 111, пластина
Текст:
...нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уров 5 15468 1...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: 15467
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 33/16, H01L 21/302
Метки: кремниевая, 111, пластина, полупроводниковая, ориентации
Текст:
...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: 15361
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/302
Метки: 111, структура, ориентации, эпитаксиальная, кремниевая
Текст:
...Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости ( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных концами на обратной стороне...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: 15359
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302, H01L 21/02
Метки: ориентации, кремниевая, полупроводниковая, пластина, 111
Текст:
...1 ) и (01 1 ) под действием термомеханических напряжений в области дефектов на торце пластины, скользят по направлению к центру пластины. На своем пути они встречают дислокации, генерируемые контролируемыми нарушениями и расположенные в плоскостях (110), (11 1 ), (101), (1 1 1),(011), ( 1 11) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины....
Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)
Номер патента: 15194
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: ориентации, покрытие, пластины, кремниевой, функциональное, 111, полупроводниковой
Текст:
...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: 15080
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: полупроводниковых, покрытие, пластин, функциональное, 111, кремниевых, ориентации
Текст:
...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...
Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)
Номер патента: 15193
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: полупроводниковой, покрытие, функциональное, 111, кремниевой, пластины, ориентации
Текст:
...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: 15079
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: 111, полупроводниковых, кремниевых, ориентации, функциональное, покрытие, пластин
Текст:
...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15075
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: кремния, изготовления, пластин, ориентации, способ, 111, полупроводниковых
Текст:
...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15192
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: ориентации, 111, кремния, изготовления, пластин, способ, полупроводниковых
Текст:
...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...
Способ формирования функционального покрытия на полупроводниковых кремниевых пластинах ориентации (111)
Номер патента: 15191
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: покрытия, полупроводниковых, ориентации, способ, 111, формирования, кремниевых, пластинах, функционального
Текст:
...основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15074
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: способ, кремния, 111, полупроводниковых, изготовления, ориентации, пластин
Текст:
...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15190
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: 111, способ, ориентации, полупроводниковых, пластин, кремния, изготовления
Текст:
...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...
Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: 15078
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: функционального, покрытия, полупроводниковых, способ, кремниевых, 111, пластин, ориентации, формирования
Текст:
...были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное...
Способ формирования функционального покрытия на полупроводниковых кремниевых пластинах ориентации (111)
Номер патента: 15189
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: способ, полупроводниковых, пластинах, покрытия, кремниевых, ориентации, функционального, 111, формирования
Текст:
...первичного элемента окна или островка нитрида кремния принципиального значения не имеет. Важно, чтобы все вновь вписываемые элементы рисунка были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые островки не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе...
Способ формирования функционального покрытия на полупроводниковых кремниевых пластинах ориентации (111)
Номер патента: 15188
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: полупроводниковых, способ, формирования, покрытия, 111, кремниевых, ориентации, функционального, пластинах
Текст:
...плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересе 5 15188 1 2011.12.30 чения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по...
Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)
Номер патента: 15294
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/302
Метки: 111, эпитаксиальной, структуры, ориентации, изготовления, кремниевой, способ
Текст:
...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: 15260
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: 111, пластина, кремниевая, полупроводниковая, ориентации
Текст:
...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: 15305
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: ориентации, 111, пластина, кремниевая, полупроводниковая
Текст:
...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...
Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)
Номер патента: 15077
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/302
Метки: 111, эпитаксиальной, способ, структуры, изготовления, ориентации, кремниевой
Текст:
...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...
Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)
Номер патента: 15059
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302, H01L 21/02
Метки: изготовления, ориентации, пластины, полупроводниковой, 111, способ, кремниевой
Текст:
...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: 14912
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 21/302
Метки: ориентации, эпитаксиальная, структура, 111, кремниевая
Текст:
...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: 14949
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: структура, эпитаксиальная, кремниевая, 111, ориентации
Текст:
...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...
Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур ориентации (111)
Номер патента: 14911
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: изготовления, способ, эпитаксиальных, ориентации, 111, кремниевых, структур
Текст:
...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: U 6405
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович
МПК: H01L 21/02
Метки: эпитаксиальная, ориентации, 111, кремниевая, структура
Текст:
...дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется фрактальная структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: U 6404
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевая, эпитаксиальная, структура, ориентации, 111
Текст:
...результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом рисунка. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6346
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: покрытие, функциональное, полупроводниковых, кремниевых, ориентации, 111, пластин
Текст:
...Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии....
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6345
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: ориентации, полупроводниковых, функциональное, покрытие, 111, пластин, кремниевых
Текст:
...элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание разнотипных элементов-окон и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера,...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6344
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: покрытие, полупроводниковых, кремниевых, пластин, ориентации, функциональное, 111
Текст:
...только элементы нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов обоих материалов - нитрида и диоксида кремния - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры,...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: U 6343
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевая, полупроводниковая, ориентации, 111, пластина
Текст:
...меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого...
Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)
Номер патента: U 6342
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевых, покрытие, пластин, 111, функциональное, ориентации, полупроводниковых
Текст:
...в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на 5 63422010.06.30 одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать так же, как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния....
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: U 6339
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/00
Метки: полупроводниковая, 111, пластина, кремниевая, ориентации
Текст:
...на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов - окон и островков приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: U 6338
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/00
Метки: кремниевая, 111, полупроводниковая, пластина, ориентации
Текст:
...состоит только из элементов минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: U 6337
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/00
Метки: пластина, 111, ориентации, кремниевая, полупроводниковая
Текст:
...тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать так же,как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого 5 63372010.06.30 тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит...
Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)
Номер патента: U 6341
Опубликовано: 30.06.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: структура, эпитаксиальная, ориентации, 111, кремниевая
Текст:
...Наличие контролируемых нарушений на обратной стороне пластины в одном из направлений 1 1 0 , 1 0 1 или 0 1 1 позволяет сформировать сетку дислокаций в строго определенных кристаллографических плоскостях, а именно в плоскостях (1 1 0) и (1 1 1) ,(1 0 1) и (1 1 1) или (0 1 1) и (1 1 1) попарно, соответственно выбранному кристаллографическому направлению. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее...
Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)
Номер патента: U 6166
Опубликовано: 30.04.2010
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/00
Метки: пластина, кремниевая, 111, полупроводниковая, ориентации
Текст:
...моменты перпендикулярны линиям нарушений. Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных...