Патенты с меткой «диодных»
Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур
Номер патента: 14404
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Баранов Валентин Владимирович, Беляева Ада Казимировна, Телеш Евгений Владимирович, Паращук Валентин Владимирович
МПК: H01L 33/00, H01S 3/04, H01L 21/02...
Метки: способ, лазерных, алмазного, теплоотводящего, изготовления, структур, диодных, основания
Текст:
...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...
Способ разбраковки полупроводниковых кремниевых диодных структур
Номер патента: 13236
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диодных, способ, разбраковки, полупроводниковых, кремниевых, структур
Текст:
...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...