Патенты с меткой «диодной»

Номер патента: U 8891

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Юмашев Константин Владимирович, Гапоненко Максим Сергеевич, Маляревич Александр Михайлович, Скопцов Николай Александрович

МПК: H01S 3/16

Метки: эрбиевый, твердотельный, диодной, накачкой, лазер

Текст:

...затвор (224) являются двумя различными оптическими элементами, что усложняет конструкцию лазера. Задача, на решение которой направлено предлагаемое устройство, заключается в упрощении конструкции. Поставленная задача решается тем, что в твердотельном эрбиевом лазере с диодной накачкой, содержащем лазерный диод накачки с волоконным выходом и последовательно установленные за выходным торцом волокна объектив, обеспечивающий фокусировку...

Номер патента: U 8850

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Безъязычная Татьяна Владимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Костик Олег Евстафьевич, Кабанов Владимир Викторович, Лебедок Егор Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Григорьев Александр Викторович, Машко Василий Вячеславович, Богданович Максим Владимирович, Щемелев Максим Анатольевич

МПК: H01S 3/08

Метки: моноимпульсный, накачкой, nd:yag, диодной, поперечной, лазер

Текст:

...полезной модели является созданиелазера с поперечной диодной накачкой, обеспечивающего эффективную генерацию моноимпульсного излучения путем ухудшения условий для формирования излучения суперлюминесценции и паразитной генерации в направлении, перпендикулярном оси резонатора. 2 88502012.12.30 Поставленная техническая задача решается тем, что в моноимпульсномлазере с поперечной диодной накачкой, включающем твердотельный активный элемент,...

Номер патента: 16389

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Машко Василий Вячеславович, Тепляшин Леонид Леонидович, Костик Олег Евстафьевич

МПК: H01S 3/137

Метки: генерации, накачкой, способ, лазера, твердотельного, диодной, стабилизации, частоты

Текст:

...лазера осуществляют путем изменения частоты сравнения генератора стандартных сигналов. Сущность предлагаемого изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1 показаны частотные зависимости рассчитанных поправок на фиг. 2 - схема лазера на фиг. 3 - зависимость межчастотного интервала от длины резонатора лазера (частоты генерации). Предлагаемый способ стабилизации частоты твердотельного лазера с диодной накачкой основывается на эффекте...

Номер патента: U 8457

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Щемелев Максим Анатольевич, Лебедок Егор Викторович, Богданович Максим Владимирович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Кабанов Владимир Викторович, Григорьев Александр Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Костик Олег Евстафьевич

МПК: H01S 3/091

Метки: диодной, накачкой, поперечной, двухсторонней, лазер

Текст:

...двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек, снабженных оптическими конденсорами и расположенных на охлаждающих элементах, применены лазерные диодные линейки с линейно поляризованным излучением с направлением поляризации вдоль их активного слоя, расположенные относительно твердотельного активного элемента так, чтобы...

Номер патента: U 8226

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Григорьев Александр Викторович, Тепляшин Леонид Леонидович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Кабанов Владимир Викторович, Щемелев Максим Анатольевич, Лебедок Егор Викторович

МПК: H01S 3/08

Метки: накачкой, твердотельный, диодной, лазер

Текст:

...лазера с диодной накачкой, обладающего повышенной стабильностью энергии излучения в условиях возможных разъюстировок концевых элементов резонатора и позволяющего производить визуальный контроль юстировки его резонатора с помощью излучения юстировочного лазера с целью упростить и, как следствие, удешевить серийное производство таких лазеров. Поставленная техническая задача решается тем, что в твердотельном лазере с диодной накачкой,...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Векшин Сергей Константинович, Кисель Виктор Эдвардович, Немененок Александр Иванович, Васильева Ирина Владимировна, Тареев Анатолий Михайлович, Батюшков Валентин Вениаминович, Кулешов Николай Васильевич, Курильчик Сергей Владимирович

МПК: H01S 3/16

Метки: накачкой, миниатюрный, твердотельный, лазер, диодной

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Номер патента: U 6445

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Богданович Максим Владимирович, Тепляшин Леонид Леонидович, Григорьев Александр Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Соколов Сергей Николаевич, Щемелев Максим Анатольевич, Паращук Валентин Владимирович, Микаелян Геворк Татевосович, Рябцев Геннадий Иванович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Кабанов Владимир Викторович

МПК: H01S 3/08

Метки: лазер, поперечной, диодной, накачкой

Текст:

...накачкой включает твердотельный активный элемент, помещенный в резонатор, образованный двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Твердотельный активный элемент лазера выполнен в форме параллелепипеда, четыре боковые поверхности которого расположены под углом 90 друг к другу. Две другие торцевые противоположные поверхности расположены...

Номер патента: 12719

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Рябцев Андрей Геннадьевич, Микаелян Геворк Татевосович, Паращук Валентин Владимирович, Енжиевский Алексей Иванович, Соколов Сергей Николаевич, Богданович Максим Владимирович, Щемелев Максим Анатольевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Жиздюк Татьяна Борисовна, Пожидаев Александр Викторович

МПК: H01L 21/02, H01S 3/00

Метки: лазерного, диодного, соединения, активного, или, выполненного, виде, диода, способ, линейки, элемента, диодной, получения, лазера, контактного

Текст:

...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...

Номер патента: U 5508

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Красковский Андрей Сергеевич, Рябцев Геннадий Иванович, Щемелев Максим Анатольевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Жуков Олег Николаевич, Кабанов Владимир Викторович, Пожидаев Александр Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Богданович Максим Владимирович

МПК: H01S 3/10, H01S 3/11

Метки: диодной, лазер, накачкой

Текст:

...расположенное на расстоянии, достаточном для фиксации одиночного лазерного импульса, источник питания модулей диодной накачки и блок управления, через который фотоприемное устройство подключено к источнику питания модулей диодной накачки. Материал, из которого изготовлен твердотельный активный элемент лазера с диодной накачкой, относится к классу кристаллов, стекол, керамических и стеклокристаллических материалов. В качестве активатора...

Номер патента: U 4745

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Титовец Сергей Николаевич, Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Красковский Андрей Сергеевич, Енжиевский Алексей Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Богданович Максим Владимирович, Пожидаев Александр Викторович

МПК: H01S 3/08

Метки: диодной, накачкой, слэб-лазер

Текст:

...двумя зеркалами, и устройства диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Радиус цилиндрической поверхности активного элемента, расстояние от лазерных диодных линеек до активного элемента и геометрические размеры активного элемента выбраны так, что все излучение лазерных диодных линеек попадает в активный элемент, полностью заполняя его боковые цилиндрические поверхности, которые коллимируют излучение лазерных диодных линеек в...