Патенты с меткой «диодной»

Номер патента: U 8891

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Юмашев Константин Владимирович, Гапоненко Максим Сергеевич, Маляревич Александр Михайлович, Скопцов Николай Александрович

МПК: H01S 3/16

Метки: диодной, накачкой, эрбиевый, твердотельный, лазер

Текст:

...затвор (224) являются двумя различными оптическими элементами, что усложняет конструкцию лазера. Задача, на решение которой направлено предлагаемое устройство, заключается в упрощении конструкции. Поставленная задача решается тем, что в твердотельном эрбиевом лазере с диодной накачкой, содержащем лазерный диод накачки с волоконным выходом и последовательно установленные за выходным торцом волокна объектив, обеспечивающий фокусировку...

Номер патента: U 8850

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Щемелев Максим Анатольевич, Тепляшин Леонид Леонидович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Машко Василий Вячеславович, Костик Олег Евстафьевич, Рябцев Геннадий Иванович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Лебедок Егор Викторович, Кабанов Владимир Викторович, Богданович Максим Владимирович, Григорьев Александр Викторович

МПК: H01S 3/08

Метки: nd:yag, моноимпульсный, лазер, накачкой, поперечной, диодной

Текст:

...полезной модели является созданиелазера с поперечной диодной накачкой, обеспечивающего эффективную генерацию моноимпульсного излучения путем ухудшения условий для формирования излучения суперлюминесценции и паразитной генерации в направлении, перпендикулярном оси резонатора. 2 88502012.12.30 Поставленная техническая задача решается тем, что в моноимпульсномлазере с поперечной диодной накачкой, включающем твердотельный активный элемент,...

Номер патента: 16389

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Тепляшин Леонид Леонидович, Машко Василий Вячеславович, Костик Олег Евстафьевич

МПК: H01S 3/137

Метки: диодной, частоты, генерации, способ, стабилизации, накачкой, твердотельного, лазера

Текст:

...лазера осуществляют путем изменения частоты сравнения генератора стандартных сигналов. Сущность предлагаемого изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1 показаны частотные зависимости рассчитанных поправок на фиг. 2 - схема лазера на фиг. 3 - зависимость межчастотного интервала от длины резонатора лазера (частоты генерации). Предлагаемый способ стабилизации частоты твердотельного лазера с диодной накачкой основывается на эффекте...

Номер патента: U 8457

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лебедок Егор Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Григорьев Александр Викторович, Кабанов Владимир Викторович, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Костик Олег Евстафьевич

МПК: H01S 3/091

Метки: двухсторонней, лазер, накачкой, диодной, поперечной

Текст:

...двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек, снабженных оптическими конденсорами и расположенных на охлаждающих элементах, применены лазерные диодные линейки с линейно поляризованным излучением с направлением поляризации вдоль их активного слоя, расположенные относительно твердотельного активного элемента так, чтобы...

Номер патента: U 8226

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Безъязычная Татьяна Владимировна, Лебедок Егор Викторович, Кабанов Владимир Викторович, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Григорьев Александр Викторович, Рябцев Геннадий Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович

МПК: H01S 3/08

Метки: накачкой, диодной, твердотельный, лазер

Текст:

...лазера с диодной накачкой, обладающего повышенной стабильностью энергии излучения в условиях возможных разъюстировок концевых элементов резонатора и позволяющего производить визуальный контроль юстировки его резонатора с помощью излучения юстировочного лазера с целью упростить и, как следствие, удешевить серийное производство таких лазеров. Поставленная техническая задача решается тем, что в твердотельном лазере с диодной накачкой,...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Васильева Ирина Владимировна, Курильчик Сергей Владимирович, Векшин Сергей Константинович, Кисель Виктор Эдвардович, Батюшков Валентин Вениаминович, Кулешов Николай Васильевич, Немененок Александр Иванович, Тареев Анатолий Михайлович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазер, диодной, твердотельный, миниатюрный, накачкой

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Номер патента: U 6445

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Щемелев Максим Анатольевич, Кабанов Владимир Викторович, Микаелян Геворк Татевосович, Богданович Максим Владимирович, Соколов Сергей Николаевич, Тепляшин Леонид Леонидович, Рябцев Геннадий Иванович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Григорьев Александр Викторович, Паращук Валентин Владимирович

МПК: H01S 3/08

Метки: лазер, поперечной, диодной, накачкой

Текст:

...накачкой включает твердотельный активный элемент, помещенный в резонатор, образованный двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Твердотельный активный элемент лазера выполнен в форме параллелепипеда, четыре боковые поверхности которого расположены под углом 90 друг к другу. Две другие торцевые противоположные поверхности расположены...

Номер патента: 12719

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Микаелян Геворк Татевосович, Богданович Максим Владимирович, Пожидаев Александр Викторович, Рябцев Геннадий Иванович, Енжиевский Алексей Иванович, Соколов Сергей Николаевич, Жиздюк Татьяна Борисовна, Безъязычная Татьяна Владимировна, Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Паращук Валентин Владимирович

МПК: H01S 3/00, H01L 21/02

Метки: лазера, линейки, диода, соединения, диодного, контактного, выполненного, получения, диодной, элемента, способ, виде, или, активного, лазерного

Текст:

...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...

Номер патента: U 5508

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Рябцев Андрей Геннадьевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Щемелев Максим Анатольевич, Пожидаев Александр Викторович, Красковский Андрей Сергеевич, Богданович Максим Владимирович, Кабанов Владимир Викторович, Жуков Олег Николаевич, Рябцев Геннадий Иванович

МПК: H01S 3/10, H01S 3/11

Метки: лазер, диодной, накачкой

Текст:

...расположенное на расстоянии, достаточном для фиксации одиночного лазерного импульса, источник питания модулей диодной накачки и блок управления, через который фотоприемное устройство подключено к источнику питания модулей диодной накачки. Материал, из которого изготовлен твердотельный активный элемент лазера с диодной накачкой, относится к классу кристаллов, стекол, керамических и стеклокристаллических материалов. В качестве активатора...

Номер патента: U 4745

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Богданович Максим Владимирович, Енжиевский Алексей Иванович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Щемелев Максим Анатольевич, Рябцев Андрей Геннадьевич, Рябцев Геннадий Иванович, Титовец Сергей Николаевич, Тепляшин Леонид Леонидович, Пожидаев Александр Викторович, Красковский Андрей Сергеевич

МПК: H01S 3/08

Метки: накачкой, слэб-лазер, диодной

Текст:

...двумя зеркалами, и устройства диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Радиус цилиндрической поверхности активного элемента, расстояние от лазерных диодных линеек до активного элемента и геометрические размеры активного элемента выбраны так, что все излучение лазерных диодных линеек попадает в активный элемент, полностью заполняя его боковые цилиндрические поверхности, которые коллимируют излучение лазерных диодных линеек в...