Патенты с меткой «межуровневая»
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17712
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: изоляция, диэлектрическая, приборов, межуровневая, полупроводниковых
Текст:
...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: U 8388
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: изоляция, межуровневая, приборов, диэлектрическая, полупроводниковых
Текст:
...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...
Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора
Номер патента: 14318
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: изоляция, диэлектрическая, межуровневая, прибора, полупроводникового
Текст:
...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...
Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора
Номер патента: U 6196
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 21/02
Метки: изоляция, прибора, полупроводникового, диэлектрическая, межуровневая
Текст:
...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...