Гайдук Илья Леонидович
Корпусной алмазосодержащий диск для разделения полупроводниковых пластин
Номер патента: U 6787
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Гайдук Илья Леонидович, Ковальчук Геннадий Филиппович, Васильев Валерий Лукич, Гаевская Татьяна Васильевна, Цыбульская Людмила Сергеевна
МПК: B28D 5/00, H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, алмазосодержащий, корпусной, диск, разделения, пластин
Текст:
...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...
Раствор для электрохимического осаждения композиционного покрытия на корпусные алмазные режущие диски
Номер патента: 12815
Опубликовано: 28.02.2010
Авторы: Ковальчук Геннадий Филиппович, Васильев Валерий Лукич, Цыбульская Людмила Сергеевна, Гайдук Илья Леонидович, Гаевская Татьяна Васильевна
МПК: C25D 3/12, C25D 15/00
Метки: корпусные, композиционного, раствор, электрохимического, режущие, алмазные, покрытия, диски, осаждения
Текст:
...(472) более 400 г/л приводит к дестабилизации процесса электрокристаллизации КЭП, осаждению кристаллов соли никеля на корпусе режущего диска. Увеличение концентрации никеля хлористого (262) более 80 г/л способствует повышению скорости растворения анодов, снижает буферную емкость прикатодного слоя и ухудшает прочность сцепления КЭП с корпусом. Уменьшение концентрации никеля хлористого менее 15 г/л и никеля сернокислого менее 200 г...
Алмазосодержащее корпусное устройство для резки полупроводниковых пластин
Номер патента: 12211
Опубликовано: 30.08.2009
Авторы: Гаевская Татьяна Васильевна, Ковальчук Геннадий Филиппович, Гайдук Илья Леонидович, Антипов Михаил Николаевич, Васильев Валерий Лукич, Цыбульская Людмила Сергеевна
МПК: B28D 5/00, H01L 21/02
Метки: пластин, устройство, полупроводниковых, корпусное, алмазосодержащее, резки
Текст:
...С и катодной плотности тока 2,0-3,0 А/дм 2 (фигура). Изготовление алмазосодержащего устройства для резки полупроводниковых пластин из кремния и материалов группы А 3 В 5 по данному изобретению включает следующие операции изготовление корпуса из сплава алюминия Д 16 электрохимическое осаждение тонкого слоя меди для обеспечения хорошего качества сцепления последующих нанесенных алмазосодержащих слоев электрохимическое осаждение внешнего...