H01L 21/8238 — на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры
Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы
Номер патента: 16100
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Сорока Сергей Александрович, Лукашова Надежда Васильевна
МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 21/8238...
Метки: способ, резистора, кмоп, изготовления, схемы, полупроводникового, интегральной, высокоомного
Текст:
...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...