Патенты с меткой «моп-транзисторов»

Номер патента: 17800

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: моп-транзисторов, способ, аппаратуры, отбора, космической

Текст:

...отбор транзисторов. Отбраковываются изделия,изменения параметров которых выходят за пределы обычного статистического распределения. В основу предлагаемого метода положены следующие физические явления. При воздействии ионизирующих излучений в МОП-транзисторах происходят следующие процессы 6 генерация и накопление заряда в защитном диэлектрике изменение заряда поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик...

Номер патента: 15627

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, моп-транзисторов, радиационной, способ

Текст:

...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...