Емельяненко Юрий Савельевич
Фотодиод
Номер патента: 16070
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Емельяненко Юрий Савельевич, Колос Владимир Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Чапланов Аркадий Михайлович
МПК: H01L 31/00
Метки: фотодиод
Текст:
...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...
Фотодиод
Номер патента: U 7146
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Емельяненко Юрий Савельевич, Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна
МПК: H01L 31/10
Метки: фотодиод
Текст:
...субмикронными размерами элементов. Это обеспечивает возможность использования обнаруженных полупроводниковых свойств, в том числе свойства фотопроводимости, в хорошо отработанных режимах и на оборудовании, используемом в современной электронной промышленности. Сущность заявляемого технического решения поясняется на фиг. 1, где схематически представлена структура варианта фотодиода, использующего слой полупроводника толщиной 70 нм на основе...