Патенты с меткой «изолированным»
Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком
Номер патента: U 8247
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Дудар Наталия Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Гетьман Сергей Николаевич
МПК: H01L 29/06
Метки: транзистор, изолированным, истоком, моп, высоковольтный
Текст:
...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...
Способ изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором
Номер патента: 13721
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 29/00, H01L 21/00
Метки: изолированным, изготовления, затвором, способ, транзисторов, биполярных
Текст:
...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...