Сорока Сергей Александрович
Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы
Номер патента: 16100
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Сорока Сергей Александрович, Лукашова Надежда Васильевна, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна
МПК: H01C 7/00, H01L 21/8238, H01C 1/00...
Метки: схемы, способ, высокоомного, изготовления, полупроводникового, резистора, кмоп, интегральной
Текст:
...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...