Патенты с меткой «дифосфида»
Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия тетрагональной модификации повышенной оптической прочности
Номер патента: 18269
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна
МПК: C01B 25/08, C30B 23/00, C30B 29/10...
Метки: тетрагональной, модификации, получения, прочности, повышенной, способ, оптической, кадмия, дифосфида, монокристаллов
Текст:
...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...
Фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия
Номер патента: 16089
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Лысаковская Екатерина Владимировна
МПК: H01L 31/09
Метки: монокристалла, фоторезистор, дифосфида, кадмия, основе
Текст:
...из фосфида кадмия 4, изменение сопротивления которого от температуры (фигура) удовлетворяет изготовлению фоторезисторов, работающих в широком температурном диапазоне. Поставленная задача решается тем, что предлагается фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия с нанесенными омическими контактами и просветляющим покрытием из оксида титана. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве материала для...
Способ получения монокристалла дифосфида кадмия тетрагональной модификации
Номер патента: 11194
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович, Голякевич Татьяна Васильевна
МПК: C30B 23/00
Метки: способ, кадмия, модификации, получения, монокристалла, дифосфида, тетрагональной
Текст:
...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...
Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации
Номер патента: 10304
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Мица Александр Владимирович
Метки: двухкомпонентное, элемента, дифосфида, просветляющее, модификации, тетрагональной, оптического, ахроматическое, кадмия, покрытие, монокристаллического
Текст:
...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...