Патенты с меткой «истоком»

Номер патента: U 8247

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/06

Метки: истоком, изолированным, высоковольтный, транзистор, моп

Текст:

...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...