Шёлковая Татьяна Васильевна

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 23/00, C01B 25/08, C30B 29/10...

Метки: способ, модификации, оптической, дифосфида, кадмия, прочности, получения, монокристаллов, повышенной, тетрагональной

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Изотов Александр Дмитриевич, Малышев Максим Леонидович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 21/02, C30B 29/10, C01G 45/00...

Метки: марганца, получения, антимонида, монокристаллического, способ

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Номер патента: 16496

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович

МПК: G02B 5/30, G02F 1/01

Метки: излучения, ик-области, ближней, спектра, света, поляризатор

Текст:

...3,030 3,010 2,973 2,960 2,947 2,943 2,940 2,937 2,935 2,930 2,920 2,920 0 0,738 0,742 0,744 0,748 0,751 0,753 0,754 0,755 0,756 0,757 0,758 0,759 0,760 0,761 е 3,000 2,960 2,940 2,920 2,900 2,890 2,880 2,870 2,873 2,868 2,863 2,858 2,853 2,848 е 0,751 0,756 0,758 0,760 0,761 0,762 0,763 0,764 0,765 0,766 0,767 0,768 0,769 0,770 Из приведенных в табл. 1 и на фиг. 1 сравнительных характеристик показателей преломления обыкновенного и...

Номер патента: 16089

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Лысаковская Екатерина Владимировна, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: H01L 31/09

Метки: кадмия, основе, монокристалла, дифосфида, фоторезистор

Текст:

...из фосфида кадмия 4, изменение сопротивления которого от температуры (фигура) удовлетворяет изготовлению фоторезисторов, работающих в широком температурном диапазоне. Поставленная задача решается тем, что предлагается фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия с нанесенными омическими контактами и просветляющим покрытием из оксида титана. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве материала для...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01G 28/00, H01F 1/40, C30B 29/10...

Метки: материала, способ, полупроводникового, получения, магнитного

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01B 25/08, C30B 29/10, H01F 1/40...

Метки: магнитного, полупроводникового, получения, материала, способ

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 29/10, C01G 28/00, C30B 23/06...

Метки: основе, получения, полупроводниковых, способ, материалов, гетероструктуры

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 23/00, C01B 25/00

Метки: фосфида, способ, монокристаллов, игольчатых, кадмия, получения

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Номер патента: 13391

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: H01F 1/40, C30B 29/10

Метки: магнитного, полупроводникового, получения, материала, способ

Текст:

...температур (650-660) С, выдерживают температуру 0,5-1 ч, затем в течение 1,50,5 ч повышают до (930-950) С и проводят вибрационное перемешивание в течение 1,5-2 ч, понижают температуру до (610-620) С с последующими гомогенизирующим отжигом в течение 120 ч и закалкой со скоростью 5-10 град/с. На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа образца состава 0,90,12. На фиг. 2 приведены термограммы твердого раствора 0,900,102 1 - кривая...