Патенты с меткой «монокристалла»

Номер патента: 16089

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Лысаковская Екатерина Владимировна, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: H01L 31/09

Метки: монокристалла, дифосфида, фоторезистор, кадмия, основе

Текст:

...из фосфида кадмия 4, изменение сопротивления которого от температуры (фигура) удовлетворяет изготовлению фоторезисторов, работающих в широком температурном диапазоне. Поставленная задача решается тем, что предлагается фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия с нанесенными омическими контактами и просветляющим покрытием из оксида титана. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве материала для...

Номер патента: 12020

Опубликовано: 30.06.2009

Автор: Каланда Николай Александрович

МПК: G30B 1/00

Метки: способ, монокристалла, купрата, выращивания, иттрия-бария

Текст:

...нагревают таблетку до температуры ее плавления,охлаждают до температуры начала кристаллизации со скоростью 15 К/ч, затем охлаждают до температуры 1240 К со скоростью 0,5 К/ч, а затем - до температуры 1210 К со скоростью 1,2 К/ч до получения указанного монокристалла. Сущность изобретения заключается в использовании в качестве исходных реагентов фаз 439- и ВаС 22 для проведения прямого синтеза без промежуточных фаз, ликвидации неравновесности...

Номер патента: 11195

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Каланда Николай Александрович

МПК: C30B 15/00

Метки: монокристалла, выращивания, способ, kgd(wo4)2:nd3+

Текст:

...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 11/00

Метки: способ, получения, диарсенида, монокристалла, цинка

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 23/00

Метки: способ, монокристалла, дифосфида, модификации, получения, тетрагональной, кадмия

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...

Номер патента: 10885

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 27/00, C30B 13/00, C30B 35/00...

Метки: монокристалла, выращивания, методом, способ, зоны, плавающей

Текст:

...к основной и дополнительной жидкости, а индекс 12 относится к границе раздела жидкостей. Рассмотрено также влияние продольного и поперечного постоянного магнитного поля на течение и тепломассоперенос. В патентах Японии 01282184 , МПК С 30 В 15/00,01 21/208, 1989 и 11180798 ,МПК 30 29/06,30 13/30,01 21/208, 1999, - поперечное или продольное магнитное поле предлагается использовать для снижения скорости движения расплава. В патенте США...

Номер патента: 1346

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Януть Виктор Иосифович, Марголин Леонид Наумович, Цедрик Михаил Семенович, Гонтарев Вячеслав Федорович

МПК: C30B 7/08, C30B 29/54

Метки: легированного, монокристалла, раствора, способ, триглицинсульфата, получения

Текст:

...помещают в обогатитель между кристаллизатором и обогатителем устанавливают постоянный градиент температур, так чтобы температура в обогатителе была больше, чем температура в кристаллизаторе. Постоянство температур в кристаллизаторе и ОООГЗТИТЕЛС поддерживается ТВРМОСТЗТЗМИ при ПОМОЩИ ПОМПЫ, НСПрЕрЬШНО подавая Насыщенный раствор по переходу из обогатителя в кристаллизатор со скоростью 30 мл/час., доводят до насыщения раствор в...