Патенты с меткой «геттерирующее»
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15745
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/322
Метки: покрытие, полупроводниковых, пластин, кремниевых, геттерирующее
Текст:
...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: U 6966
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 21/02
Метки: покрытие, пластин, геттерирующее, кремниевых, полупроводниковых
Текст:
...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...