Патенты с меткой «светодиод»
Гетеропереходный светодиод
Номер патента: 16464
Опубликовано: 30.10.2012
Автор: Сычик Василий Андреевич
МПК: H01L 33/20
Метки: светодиод, гетеропереходный
Текст:
...1 второй гетеропереход, то есть сформирована двойная-, -гетероструктурой. Полупроводниковое основаниетипа 1, -слой 2 собственного полупроводника и-слой 3 выполнены из полупроводников, обладающих большой подвижностью носителей заряда, большой диффузионной дли 2 16464 1 2012.10.30 ной, низкой концентрацией собственных носителей заряда. Толщина -слоя 2 определяется стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через...
Эталонный монохромный светодиод
Номер патента: U 8354
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Луценко Евгений Викторович, Никоненко Сергей Викторович, Данильчик Александр Викторович
МПК: G01J 1/00
Метки: светодиод, эталонный, монохромный
Текст:
...светодиодов светового потока, силы света, координат цветности, доминантной длины волны, чистоты цвета, а также пиковой длины волны 3. Монохромный возимый эталонный светодиод состоит из светодиода с линзой термостатированного корпуса эталонного светодиода встроенного терморезистора, установленного на выходных контактах светодиода и используемого в качестве индикатора температуры. Стабилизацию температуры светодиодного чипа...
Полупроводниковый светодиод
Номер патента: U 7184
Опубликовано: 30.04.2011
Автор: Сычик Василий Андреевич
МПК: H01L 33/00
Метки: светодиод, полупроводниковый
Текст:
...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...