Гетьман Сергей Николаевич
Высоковольтный МОП-транзистор
Номер патента: 18093
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Гетьман Сергей Николаевич, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна
МПК: H01L 29/772
Метки: моп-транзистор, высоковольтный
Текст:
...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...
Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком
Номер патента: U 8247
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Леонов Николай Иванович, Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна
МПК: H01L 29/06
Метки: высоковольтный, изолированным, истоком, моп, транзистор
Текст:
...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...