Кривчик Петр Петрович
Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур
Номер патента: 14870
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Довнар Николай Александрович, Кривчик Петр Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович
МПК: H01L 21/36, C30B 25/20
Метки: изготовления, структур, способ, эпитаксиальных, кремниевых
Текст:
...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...