Ковальчук Наталья Станиславовна
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 15018
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Бармин Михаил Дмитриевич, Ковальчук Наталья Станиславовна, Сарычев Олег Эрнстович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: шоттки, способ, изготовления, диода
Текст:
...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...