H01L 21/36 — нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Кривчик Петр Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Мышук Виктор Иванович, Довнар Николай Александрович, Становский Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: изготовления, способ, эпитаксиальных, кремниевых, структур

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...