Патенты с меткой «теплоотводящего»

Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович, Беляева Ада Казимировна

МПК: H01S 3/04, H01L 21/02, H01L 33/00...

Метки: теплоотводящего, основания, изготовления, способ, структур, диодных, алмазного, лазерных

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...