H01S 3/04 — системы охлаждения
Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур
Номер патента: 14404
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Беляева Ада Казимировна, Телеш Евгений Владимирович, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович
МПК: H01S 3/04, H01L 21/02, H01L 33/00...
Метки: изготовления, способ, основания, алмазного, диодных, структур, теплоотводящего, лазерных
Текст:
...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...
Жидкостный теплоноситель-светофильтр твердотельных лазеров
Номер патента: 13299
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Горбачевская Ольга Романовна, Волынкин Валерий Михайлович, Михайлов Юрий Тимофеевич
МПК: H01S 3/04
Метки: жидкостный, теплоноситель-светофильтр, твердотельных, лазеров
Текст:
...физические характеристики ОФ растворим в смеси октана с бутиловым спиртом (БС) и обеспечивает границу пропускания ЖТС в УФ-диапазоне длин волн излучения около 370 мкм и прозрачность вплоть до длин волн излучения около 1 мкм. Эта спектральная характеристика является оптимальной для ламповой накачки твердотельных лазеров на гранате, легированном неодимом. Излучение накачки с длиной волны более 370 нм практически не вызывает появления...
Жидкостный теплоноситель-светофильтр твердотельных лазеров
Номер патента: 4241
Опубликовано: 30.12.2001
Авторы: Горбачевская Ольга Романовна, Волынкин Валерий Михайлович, Михайлов Юрий Тимофеевич
МПК: H01S 3/04, H01S 3/042
Метки: лазеров, твердотельных, теплоноситель-светофильтр, жидкостный
Текст:
...в УФ области существенно выше, чем у бихромата калия, для фильтрации УФ излучения и обеспечения необходимых спектральных характеристик ЖТС достаточно малой концентрации красителя 0,03-0,07 мас. . Увеличивать концентрацию красителя более 0,07 мас.нежелательно, так как в этом случае уменьшается толщина слоя ЖТС, в котором поглощается УФ излучение. Соответственно, при этом растет температура ЖТС в этом слое и ухудшается...
Осветитель квантрона твердотельного лазера
Номер патента: U 320
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Малащенко Алексей Терентьевич, Каморников Игорь Михайлович
Метки: квантрона, осветитель, твердотельного, лазера
Текст:
...отражающего металлического покрытия на внешней стороне кварцевых труб предотвращает коррозионное воздействие на покрытие охлаждающей среды в случае, если ее прокачивают внутри полости осветителя. Заявляемая полезная модель решает задачу создания осветителя квантрона твердотельного лазера, обеспечивающего возбуждение активного элемента в форме стержня через его боковую поверхность. Технический результат полезной модели заключается в...