Сивец Василий Иосифович
Способ изготовления фотодиода
Номер патента: 15054
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Становский Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович, Сивец Василий Иосифович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 31/00, H01L 27/14
Метки: изготовления, способ, фотодиода
Текст:
...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...