Беляева Ада Казимировна
Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур
Номер патента: 14404
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Беляева Ада Казимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович
МПК: H01S 3/04, H01L 21/02, H01L 33/00...
Метки: структур, алмазного, лазерных, диодных, теплоотводящего, способ, основания, изготовления
Текст:
...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...