Емельянов Виктор Андреевич

Номер патента: 8716

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: качества, способ, контроля, изделий, поверхности

Текст:

...несовершенства поверхности, являющиеся важным показателем качества контролируемых поверхностей. Они приводят к диффузному рассеянию света и не могут быть идентифицированы.В результате при использовании способа-прототипа контроль качества поверхности в ряде случаев оказывается недостаточно объективным. Причиной этого является недостаточно высокое качество получаемой светотеневой Картины, обусловленное наложением зеркально и диффузно...

Номер патента: 8675

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: контроля, поверхности, устройство, качества, изделий

Текст:

...возможностей устройства за счет пространственного разделения оптических компонент, формирующих изображение контролируемой поверхности.Поставленная задача решается тем, что устройство для контроля качества поверхности изделий, включающее точечный источник оптического излучения, держатель образцов И экран, между источником Излучения И держателем образцов содержит подвижный трафарет, отверстие в котором обеспечивает освещение...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: B24D 3/00, B24D 5/12

Метки: кубической, режущей, алмазный, кромкой, монокристаллов, круг, сингонии, внутренней, резки, пластины

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кукреш Анна Брониславовна, Кисель Анатолий Михайлович, Лысюк Анатолий Александрович

МПК: H01L 21/306, C09K 13/08

Метки: пленки, травления, способ, кремния, раствора, приготовления, диоксида

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Гладкова Людмила Владимировна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Турыгин Анатолий Викторович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: кислоты, травителя, состав, ортофосфорной, регенерации, основе

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/304, H01L 21/302, B28D 5/02...

Метки: резки, кремния, слитков, способ, пластины

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/302, H01L 21/304, H01L 21/02...

Метки: способ, пластин, полупроводниковых, кремния, изготовления

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 7944

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Лукашевич Михаил Григорьевич, Лукашевич Сергей Михайлович

МПК: G01R 33/09

Метки: поля, измерения, магнитного, напряженности, магниторезистивным, датчиком, способ

Текст:

...полей в узких зазорах. Задачей предлагаемого способа является расширение температурного диапазона измерения напряженности магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина поля определяется по градуировочному графику суммы относительного уменьшения и увеличения сопротивления датчика магнитным полем, а также упрощение способа путем исключения операции вращения датчика в магнитном поле. Решение поставленной задачи...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/00, H01L 21/28...

Метки: интегральных, способ, системы, металлизации, схем, изготовления

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 7255

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66

Метки: изделий, поверхности, контроля, качества, устройство

Текст:

...приведенной на фиг. 3, показано заявляемое устройство, включающее точечный источник света, помещенный в корпус 1, внутри которого установлено выпуклое зеркало. Источник света питается от блока питания 2, установленного вне рабочей зоны контроля. Свет от точечного источника после отражения от выпуклого зеркала попадает на предметный столик 3 с установленной на нем контролируемой пластиной. Отраженный пучок света направляется на экран...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/308

Метки: ориентации, анизотропного, травления, кремния, 100, травитель

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Номер патента: 5976

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Мартинкевич Александр Александрович, Прибыльский Александр Васильевич, Бобровский Антон Петрович, Крутько Эльвира Тихоновна, Емельянов Виктор Андреевич, Прокопчук Николай Романович

МПК: C08L 79/08

Метки: композиция, полиимидная, блока, разводки, многоуровневой, создания

Текст:

...лаков и красок. Использование его для улучшения механических и термических характеристик полиимидных пленочных материалов неизвестно 3, 4. Предлагаемая полиимидная композиция для создания блока многоуровневой разводки интегральных микросхем готовится следующим образом к раствору полиамидокислоты, на основе 4,4-диаминодифенилоксида и пиромеллитового диангидрида в полярном апротонном растворителе добавляют расчетное количество...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сугакова Татьяна Евгеньевна, Медведева Анна Борисовна, Гранько Владимир Ильич, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, состав, пластин, полупроводниковых, очистки

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...

Номер патента: U 1205

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Лукашевич Сергей Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Лукашевич Михаил Григорьевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитометр

Текст:

...любых дестабилизирующих факторов на измеряемую величину магнитного поля, а также расширение температурного диапазона измерения магнитного поля до комнатных температур. Решение поставленной задачи достигается тем, что в магнитометре, содержащем магниторезистивный датчик магнитного поля, источник питания, коммутатор, суммирующий блок и блок регистрации, подключенные к общей шине, один из входов коммутатора подключен к источнику питания, а выход...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...

Номер патента: U 1157

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 9/00

Метки: устройство, качества, поверхности, контроля, изделий

Текст:

...изображение наблюдаемой светотеневой картины. Программное обеспечение и стандартная комплектация цифровых фотоаппаратов позволяют тут же ввести изображение в компьютер. Далее следует компьютерная диагностика полученных изображений с помощью специально разработанной программы анализа изображений. Ее суть заключается в измерении яркости каждой точки изображения путем присвоения номера ее цвета в серой цветовой палитре. На основании проведенных...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Пономарь Владимир Николаевич, Шведов Сергей Васильевич, Силин Анатолий Васильевич, Усов Геннадий Иванович

МПК: H01L 29/06

Метки: элемент, статического, моп, схемы, транзистора, интегральной, электричества, защиты, выходного

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...

Номер патента: 5025

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Ланин Владимир Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Бондарик Василий Михайлович

МПК: B23K 3/06

Метки: ультразвукового, изделий, лужения, устройство

Текст:

...развязка выполнена в форме усеченного конуса из материала с низкими коэффициентами трения и поглощения ультразвуковых колебаний, датчик выполнен в виде моста постоянного напряжения, в одно из плеч которого включен электрод, устройство дополнительно содержит используемый для определения степени разбалансировки моста компаратор, отслеживающий уровень расплава, и контролирующий степень загрязнения поверхности припоя шлаками. На фигуре...

Номер патента: 4154

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, борофосфоросиликатного, получения, способ, пленки

Текст:

...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...

Номер патента: 4216

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Ланин Владимир Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Кожух Екатерина Ивановна

МПК: B23K 28/02

Метки: способ, термозвуковой, микросварки

Текст:

...капилляру 3 для деформации вывода в процессе сварки. Ультразвуковые колебания от генератора 4 подаются на пьезоэлектрический преобразователь 5, возбуждая в волноводе 6 продольные механические колебания. Подогрев проволочного вывода 1 и контактной площадки 2 осуществляют импульсами лазерного излучения от оптического квантового генератора 7. В качестве источника оптического излучения применен квантовый генератор на алюмо-иттриевом гранате с...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Буслов Игорь Иванович, Смагин Дмитрий Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, фосфоросиликатного, пленок, стекла, осаждения

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Номер патента: 3901

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Рябченко Игорь Леонидович, Родин Георгий Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванов Леонид Федорович, Гранько Владимир Ильич, Красовский Анатолий Михайлович, Гракович Петр Николаевич

МПК: B01D 46/24

Метки: масел, способ, осуществления, смеси, отделения, устройство, газовой

Текст:

...решетка размещена над бункером, а верхняя установлена с возможностью вертикального перемещения 7. Хотя в данном устройстве реализован возврат масла в вакуумный насос, в связи с неизбежным изменением механических параметров пористого фильтрующего элемента в ходе работы его улавливающая способность изменяется, например после длительных пауз или при загрязнении объема фильтра твердыми частицами. Наличие подвижных элементов снижает надежность...

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Федосенко Геннадий Николаевич, Ширипов Владимир Яковлевич, Федосенко Николай Николаевич

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02, C23C 14/28...

Метки: пленки, способ, получения, алмазоподобной

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....

Номер патента: 2930

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Чехович Евгений Казимирович, Емельянов Виктор Андреевич, Тукач Екатерина Марковна, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01N 15/00

Метки: размеров, способ, микрочастиц, определения

Текст:

...пропускающее отверстие, выделяют приграничное к центральной зоне сечение и осуществляют фотоэлектрическое преобразование выделенного светового потока фотоприемником ФП 2. В связи с тем, что частицы имеют разные траектории, они освещаются световым потоком разной интенсивности, и поэтому от частиц одинакового размера формируются сигналы, имеющие разную амплитуду. Интенсивность потока ближе к центру перетяжки распределена более равномерно....

Номер патента: 2929

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 31/00

Метки: лавинный, фотоприемник

Текст:

...следующим образом. В кремниевой пластине -типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Омсм формировался защитный слой 0,3 мкм и методами оптической литографии- топологический рисунок слоев 2 и 3, обеспечивающий равноудаленность границ слоев 2 и 3. Затем проводилось локальное травление окисного слоя, снятие фоторезиста, повторная фотолитография со вскрытием окон только под слой 2 и ионная имплантация бора во вскрытые окна. При...

Номер патента: 2817

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Кавриго Николай Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 23/053

Метки: схема, интегральная

Текст:

...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Пилипенко Владимир Александрович

МПК: H01L 21/324

Метки: интегральных, способ, полупроводниковых, металлизации, создания, приборов, схем

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Номер патента: 2339

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Ларин Владимир Леонидович, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Седаев Владимир Павлович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: B23K 20/10

Метки: способ, ультразвуковой, сварки

Текст:

...этом опреде- 35ЛЯТЬСЯ ИЗ ВЫРЗЖЕННЯ Пгде В коэффидиент диффузии металла ос 403 градиент КОНЦЕНТРЗЦНН металла П подвижность атомов металла под действием электрического тока 1 величина тока г УДЕЛЬНОЗ ЭЛЕКТРИческое сопротивление металла С 45КОНЦЕНТРЗЦНН ИОНОВ металла В ЗОНЕ СОЕДИНЕНИЯ.//диффуэионноподвнжного металла в сое динении приводит к увеличению прочное-50 ти микросварных соединений, посколь Редактор П.Зубкова Заказ 389/ДСПку...

Номер патента: 2032

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Хмыль Александр Александрович, Саковец Сергей Иванович, Крупень Павел Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Куценко Владимир Михайлович

МПК: C25D 21/12

Метки: гальванотехнологии, электропреобразователь

Текст:

...вторым входом второго компаратора 33, а второй вход первого 32 компаратора - с первым входом второго компаратора 33. Выход первого 32 компаратора соединен с входом первого элемента И 34, а выход второго компаратора 33 - с входом второго элемента И 35. Выходы элементов 34 и 35 подключены соответственно к первым входам усилителей 36 и 37 и входам ждущих мультивибраторов 38 и 39, выходы которых, в свою очередь, соединены с входами формирователей...