Патенты с меткой «геттерирующего»
Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15321
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович
МПК: C23C 16/22, H01L 21/322
Метки: пластин, полупроводниковых, формирования, способ, покрытия, кремниевых, геттерирующего
Текст:
...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...