C23C 16/22 — характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический

Номер патента: 18274

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Валькович Игорь Владимирович, Кучинский Владимир Михайлович, Сенють Владимир Тадеушевич

МПК: C01B 21/064, B01J 3/06, C23C 16/22...

Метки: нитрида, сверхтвердого, материала, поликристаллического, бора, способ, кубического, синтеза, основе

Текст:

...инструмента на их основе. Техническим результатом изобретения является снижение давления фазового превращения в кубическую модификацию , повышение дисперсности зерен КНБ, равномерное распределение частиц тугоплавких соединений по объему материала, снижение их размеров. Указанная задача решается в способе синтеза поликристаллического сверхтвердого материала на основе КНБ, при котором смешивают порошок гексагонального нитрида бора с 0,5-10...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: пластин, формирования, кремниевых, полупроводниковых, геттерирующего, способ, покрытия

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 14221

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Горбачук Николай Иванович, Грицкевич Ростислав Николаевич, Поклонский Николай Александрович, Шпак Екатерина Петровна

МПК: H01C 17/075, C23C 16/22

Метки: резисторной, структуры, получения, способ, тонкопленочной

Текст:

...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...

Номер патента: 10303

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Валькович Игорь Владимирович, Грицук Виталий Дмитриевич, Гамеза Людмила Михайловна, Сенють Владимир Тадеушевич, Ковалева Светлана Анатольевна

МПК: C01B 31/00, C23C 16/22, B01J 3/06...

Метки: материала, способ, наноалмазов, получения, композиционного, основе

Текст:

...ГПа в диапазоне температур 1400-1600 С в течение 10-60 с. В результате получили алмазную заготовку, пропитанную кремнием. Однако в данном способе получения ПСТМ на основе наноалмазов образование карбида кремния было отмечено только на границах алмазных зерен, покрытых слоем неалмазного углерода. Более длительная изотермическая выдержка, производимая с целью связывания всего объема кремния, поступившего в заготовку, приводит к...