Патенты с меткой «эпитаксиальном»
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии
Номер патента: 13719
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович
МПК: H01L 21/02
Метки: приборах, кремнии, эпитаксиальном, жизни, полупроводниковых, неосновных, времени, способ, регулирования, заряда, носителей
Текст:
...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...