Кравченко Владимир Михайлович
Детекторный диод с балочными выводами
Номер патента: U 8037
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Залесский Валерий Борисович, Кравченко Владимир Михайлович
МПК: H01L 29/86
Метки: детекторный, балочными, выводами, диод
Текст:
...контакт к -слою, анодный контакт к -слою,балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный над катодным и анодным балочными выводами, имеющий в центре над всей областью диода окно,перпендикулярно к балочным выводам в противоположных направлениях сформированы нерегулярные полосковые линии, на которых расположены крайние части слоя эластичного диэлектрика, выполненные в виде периодических решеток с изменяющимся...
Приемник терагерцового излучения
Номер патента: U 7817
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Кравченко Владимир Михайлович, Есман Александр Константинович
МПК: H01Q 13/10
Метки: приемник, излучения, терагерцового
Текст:
...связан 2 78172011.12.30 ные Г-образными выходными линиями с основаниями согласующих элементов, угол при вершине которых выбран равным 140. Для эффективного решения поставленной технической задачи глубина полости под детектирующим диодом выполнена большей, чем его геометрический размер по вертикали. Для эффективного решения поставленной технической задачи горизонтальные участки выходных линий расположены на расстоянии, как минимум...
Многослойный солнечный преобразователь
Номер патента: 13692
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Кравченко Владимир Михайлович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Залесский Валерий Борисович
МПК: H01L 31/04
Метки: многослойный, преобразователь, солнечный
Текст:
...Сущность изобретения поясняется на фиг. 1, на которой приведена схема расположения слоев и элементов преобразователя, где 1 - фронтальный контакт,2 - антиотражающее покрытие,3 - верхний полупроводниковый (п/п) элемент,4 - туннельный переход,5 - нижний полупроводниковый (п/п) элемент,6 - прозрачный проводящий слой,7 - прозрачный диэлектрик,8 - части тыльного контакта,9 - ряды детектирующих антенных элементов,10 - слои с квантовыми...
Детектирующая антенна
Номер патента: U 5637
Опубликовано: 30.10.2009
Авторы: Кравченко Владимир Михайлович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович
МПК: H01Q 13/10
Метки: антенна, детектирующая
Текст:
...толщина базы выпрямительных элементов выбрана субмикронных размеров. Для эффективного решения поставленной технической задачи полупроводниковый материал выпрямительных элементов выбран высоколегированным. Для эффективного решения поставленной технической задачи отверстие в металлизированном слое подложки выполнено в форме эллипса. Совокупность указанных признаков позволяет решить техническую задачу за счет расширения диапазона детектируемых...