H01L 21/02 — изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, покрытие, пассивирующее, многослойное, высоковольтных, приборов

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Кульгачев Владимир Ильич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, быстродействующих, высоковольтных, изготовления, диодов

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: диода, изготовления, шоттки, способ

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: полупроводниковой, способ, контроля, химической, растворе, очистки, качества, пластины, ph больше 7, кремниевой, поверхности

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, полупроводникового, прибора, способ, изготовления, металлизации

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, изготовления, полупроводникового, способ

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, изготовления, полупроводникового, металлизации, прибора, кремниевого, способ

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 11206

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Куликов Иван Семенович, Климова Людмила Александровна, Каменев Анатолий Яковлевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, обработки, электролитно-плазменной, материалов, способ

Текст:

...по предложенному способу (при указанных температуре, напряжении и электролите) невозможна из-за неустойчивости пароплазменной подушки, возникающей при обработке на поверхности кремния, вследствие чего имеет место быстрый локальный нагрев пластин до 250-700 С и их растрескивание. 2 11206 1 2008.10.30 Использование предложенного состава электролита не обеспечивает процесса полировки поверхности кремния, вследствие преобладания процесса ее...

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C30B 29/10...

Метки: термочувствительного, способ, создания, gaas-элемента

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: тиристора, пассивации, меза-канавкой, способ, переходов

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Номер патента: 11179

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Зуев Владимир Павлович, Агейченко Александр Степанович, Васильев Алексей Андреевич

МПК: G03F 7/20, H01L 21/02

Метки: слоев, устройство, фоторезистов, толстых, экспонирования

Текст:

...содержит широкополосный источник экспонирующего света, осветительную систему с апертурной диафрагмой, ретикл с топологическим рисунком, полихроматический проекционный объектив с апертурной диафрагмой, координатный стол для размещения экспонируемой пластины, а также первый и второй интерференционные фильтры, установленные в плоскости двух указанных апертурных диафрагм соответственно и выполненные с возможностью задания заранее...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: металлизации, полупроводникового, системы, прибора, способ, изготовления

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кресло Сергей Михайлович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: акцепторных, кремниевые, способ, пластины, примесей, диффузии, приборов, изготовления, силовых, полупроводниковых

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гуринович Валентина Артемовна, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: структур, термообработки, способ, кремниевых

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, бора, приборов, источников, изготовлении, микросхем, полупроводниковых, твердых, интегральных, диффузии

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, бора, источников, интегральных, схем, изготовления, твердых, создании, планарных, приборов, способ

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: времени, полупроводниковых, кремния, высоковольтных, неосновных, регулирования, базе, приборах, быстродействующих, жизни, мощных, носителей, ядернолегированного, изготавливаемых, заряда, способ

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, шоттки, диода, изготовления

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52, H01L 23/48...

Метки: приборов, способ, металлизации, полупроводниковых, системы, изготовления, кремниевых

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Жигалко Игорь Борисович, Алиев Алигаджи Магомедович, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, транзистора, высоковольтного, изготовления, дмоп, мощного

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, быстродействующих, регулирования, неосновных, времени, приборов, жизни, заряда, способ, изготовлении, носителей

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарный, приборов, интегральных, источник, изготовления, твердый, схем, бора, диффузии, полупроводниковых

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/00, H01L 23/48...

Метки: токопроводящая, полупроводниковых, приборов, пленочная, кремниевых, система

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Номер патента: 9717

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Ефремов Георгий Игнатьевич, Мухуров Николай Иванович

МПК: H01H 59/00, H01L 21/02

Метки: микрореле, планарное, электростатическое

Текст:

...1 - диэлектрическая подложка,2 - диэлектрический якорь,3 - паз,4 - диэлектрическая площадка,5 - неподвижный выступ,6 - параллельная сторона якоря,7 - поперечная сторона якоря,8 - подвижный выступ,9 - выступ,10 - лепесток,11 - неподвижный управляющий тонкопленочный электрод,12 - подвижный управляющий тонкопленочный электрод,13 - тонкопленочная контактная дорожка,14 - тонкопленочная контактная площадка,15 - подвижный тонкопленочный контакт...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: кремниевых, металлизации, полупроводниковых, системы, приборов, изготовления, способ

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: обратной, формирования, кремниевой, стороны, пластины, способ, металлизации

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265, H01L 21/66...

Метки: дозиметрии, имплантации, ионной, четырехзондовой, способ

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/302, H01L 21/304, H01L 21/02...

Метки: изготовления, кремния, полупроводниковых, способ, пластин

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: интегральных, системы, способ, изготовления, металлизации, схем

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 4441

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Коновалов Виктор Алексеевич, Яковенко Сергей Евгеньевич, Минько Анатолий Антонович, Муравский Анатолий Александрович

МПК: G02F 1/13, H01L 21/02

Метки: способ, планаризирующее, покрытие, изготовления, подложек

Текст:

...изображения требуется задавать толщинужидкокристаллического слоя, исходя из определенной величины соотношения /, в которое входят двулучепреломлениежидкого кристалла и длина волны 3. Для каждой длины волны это соотношение задает свое оптимальное значение толщины жидкокристаллического слоя. Соответственно, выравнивая неровности рельефа по предлагаемому изобретению можно одновременно задавать в области каждого цветного фильтра такую толщину...

Номер патента: 734

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Агабеков В. Е., Невдах О. П., Кочканян Р. А., Луканюк С. С., Спицын Н. В., Азарко В. А., Михайловский Ю. К., Конышева Т. В.

МПК: C07D 513/04, G03C 1/72, H01L 21/02...

Метки: 4,5-b, маскирующего, качестве, 4-тиазолино, 1,5]-бензодиазепин, микролитографии, материала, 1оh-2-оксо

Текст:

...(кремний дырочной проводимости, легированный бором, с удельным сопротивлением 0,3 Ом-см) диаметром 100 мм толщиной 4601 10 мкм закрепляют на верхнем срезе стакана-цилиндра высотой 120 мм(по центру нижнего среза размещается испаритель). Камеру ВУП-4 вакуумируют до 2,4 105 Торр, температуру испарителя доводят до 26010 С, открывают заслонку и в течение 6 мин напыляют пленку. Навеска испаряется полностью, остатка нет.На подложке образуется...

Номер патента: 732

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Кочканян Р. А., Спицын Н. В., Конышева Т. В., Михайловский Ю. К., Агабеков В. Е., Луканюк С. С., Невдах О. П., Азарко В. А.

МПК: H01L 21/02, G03C 1/72, C07D 487/04...

Метки: маскирующего, материала, микролитографии, 1,5]-бензодиазепин, качестве, 11h-2,4-диоксо-3-фенил-пиримидо-[4,5-b

Текст:

...1 представляет собой порошок кораллового цвета с температурой плавления 349-350 50. Найдено, Х С 66,94 Н 4,08 М 18,29. Бруттоформула 017 Н 12 Ы 403. Молекулярная масса З 0 аЗ 0. Вычислено, 1 С1372 СС 1535 СЫ 1565 СО 1695 -НС ЗОЗ 5 СНарФм 3062 Ф ЬЫ-Н 3285. УФспентр (пленки) итал, нм 260, 356, 446. При термическом вакуумном испаренииглянцевые пленки с орошеь адгезией н полупроводниковым, стенлнн Нин, полимерным и нетащличесиим подлоннам....