C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 14073

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: C30B 29/10, C04B 35/583, C04B 35/528...

Метки: шихта, поликристаллического, материала, получения, композиционного, сверхтвердого

Текст:

...карбид бора инициируют превращение графита в алмаз. Образующиеся в межзеренном пространстве алмаз и кубический нитрид бора связывают отдельные зерна между собой, образуя жесткий каркас,пустоты в котором заполнены продуктами взаимодействия - , , 4. При отклонении от указанных в формуле соотношений компонент шихты поставленная задача не достигается. При содержании в шихте графита и/или ГНБ менее 2 мас.снижается прочность поликристаллов ввиду...

Номер патента: 13986

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Труханов Сергей Валентинович, Лобановский Леонид Сергеевич

МПК: C30B 29/10, C04B 35/26

Метки: получения, кальция, феррита, способ, поликристаллического

Текст:

...железа и карбоната кальция для получения прекурсора 225 рассчитывают согласно следующей химической формуле 232322522.(1) Помол исходных компонентов проводят до получения гомогенного состояния с размером частиц не более 40 мкм. Синтез шихты проводят при температуре 900-950 С в течение 6-8 часов в воздушной среде. Скорость нагрева и охлаждения исходных компонентов до и после синтеза значения не имеет. Полученный таким образом прекурсор 225...

Номер патента: U 6573

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Кашевич Ирина Федоровна, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: выращивания, кристаллов, устройство

Текст:

...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...

Номер патента: 13553

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Дубровенский Владимир Михайлович, Говор Геннадий Антонович, Вечер Александр Константинович

МПК: C30B 29/04, C01B 31/00, B01J 3/06...

Метки: получения, алмазов, способ

Текст:

...среде с указанными в формуле изобретения параметрами изменяет общее состояние ингредиентов шихты таким образом, что при ее обработке высокими давлением и температурой наблюдается увеличенный выход наиболее дефицитных порошков алмаза фракций 28/20-10/7. При обработке в атмосфере при мощности излучения менее 0,2 Вт/см 3 и частоте менее 10 МГц, когда температура шихты равна менее 150 С, выход порошков указанных выше фракций уменьшается...

Номер патента: 13391

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: H01F 1/40, C30B 29/10

Метки: полупроводникового, материала, магнитного, способ, получения

Текст:

...температур (650-660) С, выдерживают температуру 0,5-1 ч, затем в течение 1,50,5 ч повышают до (930-950) С и проводят вибрационное перемешивание в течение 1,5-2 ч, понижают температуру до (610-620) С с последующими гомогенизирующим отжигом в течение 120 ч и закалкой со скоростью 5-10 град/с. На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа образца состава 0,90,12. На фиг. 2 приведены термограммы твердого раствора 0,900,102 1 - кривая...

Номер патента: 13181

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Петрашко Василий Васильевич, Шишонок Николай Александрович

МПК: C30B 29/04, C04B 35/528, B01J 3/06...

Метки: шихта, композиционного, сверхтвердого, материала, поликристаллического, получения

Текст:

...образованию межзеренных связей. Известно, что поверхность алмаза является гидрофобной и практически не смачивается расплавами многих металлов(алюминия и магния, в частности), и только введение в шихту титана обеспечивает ее полное смачивание. На практике это означает, что процессы межфазного взаимодействия в системе алмаз - эвтектический сплав будут протекать более интенсивно. Повышение температуры до 11001250 С приводит к тому, что расплав...

Номер патента: 13076

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Волчик Татьяна Владимировна, Лугинец Александр Михайлович, Колесова Ирина Михайловна, Гурский Леонид Ильич, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Телеш Евгений Владимирович

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: замещенного, железо-иттриевого, способ, висмут, граната, получения

Текст:

...в течение 20-50 часов и охлаждением до температуры 920-980 С, затем на вырезанные по плоскости (111) монокристаллические пластины железо-иттриевого граната напыляют висмут и осуществляют диффузионный отжиг при температуре 650 С и давлении кислорода 105 Па в течение 50 часов. Сущность изобретения заключается в использовании экологически чистого, химически неагрессивного к платиновой технологической оснастке, термодинамически устойчивого к...

Номер патента: 12467

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович, Волчик Татьяна Владимировна

МПК: C30B 29/10, C01G 29/00, C04B 35/26...

Метки: способ, получения, висмута, феррита

Текст:

...(состав 1,740,263). При дальнейшем охлаждении кристаллизация 3 идет без перитектического превращения, хотя и с незначительным отклонением от стехиометрического состава 3. Примеры конкретного применения способа получения феррита висмута. Пример 1 Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для получения феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Климза Алексей Антонович, Каланда Николай Александрович, Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич, Волчик Татьяна Владимировна, Гесь Александр Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 19/00

Метки: монокристаллических, феррита, железо-иттриевого, пленок, висмутзамещенного, способ, получения, граната

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Номер патента: 12406

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: B22F 7/02, B01J 3/06, C04B 35/583...

Метки: кубического, способ, получения, пластин, бора, нитрида

Текст:

...для получения одновременно нескольких изделий за один технологический цикл заготовки разделены прокладками из хлористого натрия, не позволяет максимально использовать полезный объем реакционной камеры, что достигается в предлагаемом способе. Использование для получения пластин монолитных заготовок из пиролитического нитрида бора (ПНБ) позволяет максимально использовать реакционный объем. При этом, как показал опыт, в процессе синтеза...

Номер патента: 12461

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Ширяев Сергей Витальевич, Бычков Георгий Леонидович, Шестак Анатолий Сергеевич, Барило Сергей Николаевич

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: eu,gd,tb,dy, выращивания, где, lnbaco2o5+x, способ, монокристаллов

Текст:

...шихту из порошков карбоната бария ВаСО 3 и оксида кобальта СО 3 О 4 в соотношении 23. Загруженный алундовый тигель помещают в вертикальную электрическую нагревательную печь, включают нагрев со скоростью 100-150 С/ч, нагревают до температуры 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 12 ч для разложения ВаСО 3. Далее продолжают нагрев с той же скоростью до появления расплава, который определяется визуально по появлению на поверхности...

Номер патента: 12431

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Кульбицкая Людмила Викторовна, Якубовская Светлана Владимировна, Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна

МПК: C30B 29/04, B24D 3/04, C09K 3/14...

Метки: композиционное, зерно, абразивное, плакированное

Текст:

...- химическое осаждение, заключающееся в осаждении требуемых соединений на абразивные зерна из соответствующих химических растворов, которые при высыхании и термической деструкции образуют тонкие покрытия, толщина которых лимитируется составами растворов и режимами осаждения. Метод не требует дорогостоящего оборудования, является простым и не приводит к удорожанию инструмента, использующего алмазные зерна, т.к. небольшие затраты на нанесение...

Номер патента: 12176

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна

МПК: C01B 21/00, C30B 29/10, B01J 3/06...

Метки: кубического, способ, основе, получения, материала, бора, нитрида, сверхтвердого

Текст:

...в шихте алюминия. В случае полного растворения находящегося в шихте алюминия в кубическом нитриде бора, сверхтвердый материал имеет однофазный состав и представляет собой твердый раствор алюминия в кубическом нитриде бора. Атомы алюминия, замещая атомы бора в решетке кубического нитрида бора, искажают его сфалеритоподобную решетку, что ведет к увеличению твердости сверхтвердого материала на основе кубического нитрида бора, а вводимый бор...

Номер патента: 12224

Опубликовано: 30.08.2009

Автор: Шишонок Елена Михайловна

МПК: C09K 11/77, C30B 29/10, B01J 3/06...

Метки: кубического, получения, обладающего, способ, световой, эмиссией, нитрида, бора

Текст:

...быть не могут. Являясь донорными примесями в кристаллической решетке , с валентностью 6,и , например, в случае замещения азота (валентность 5) или бора (валентность 3) обеспечивают материалу электронную проводимость. При фотовозбуждении люминесценция на ионах РзЭ ввозбуждается путем передачи энергии световых квантов электронам -оболочек ионов РзЭ резонансно или через существующие в материале дефектные состояния собственной природы, или...

Номер патента: 12040

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Волчик Татьяна Владимировна, Соболь Валерий Романович

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/10...

Метки: феррита, шихта, висмута, получения

Текст:

...превращения, что и обеспечивает получение образцов феррита висмута гомогенного состава. Примеры конкретного использования шихты для получения феррита висмута. Пример 1. Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для синтеза феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем формуле 2(1-)23 с 0,13 (состав 1,740,263). Навеску, состоящую из оксидов висмута и...

Номер патента: 11882

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Волчик Татьяна Владимировна, Соболь Валерий Романович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C04B 35/26, B22F 3/10, C01G 29/00...

Метки: получения, способ, висмута, феррита

Текст:

...превышающих температуру перехода из моноклинной в гексагональную модификацию 23 (первая стадия), и при температурах, превышающих температуру перехода из гексагональной в кубическую модификацию 23 (вторая стадия). Предложен способ получения чистого феррита висмута следующим образом. Предварительно гомогенизированную смесь исходных оксидов 23 и 23, взятых в стехиометрическом соотношении, располагают в уже выведенную на температурный...

Номер патента: 11734

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Шишонок Николай Александрович, Петрашко Василий Васильевич, Леусенко Анатолий Алексеевич

МПК: C30B 29/04, B01J 3/06

Метки: материала, поликристаллического, шихта, композиционного, получения, сверхтвердого

Текст:

...действие, препятствующее обратному фазовому превращению алмаз - графит. Содержание алмаза в щихте(8093 ) позволяет получить максимальные прочностные характеристики, так как в этом случае в поликристалле образуется алмазный каркас. При меньщем содержании алмаза указанного сплощного каркаса не формируется, поэтому механические свойства поликристалла снижаются. Введение в щихту бора или алюминия в количестве, меньщем 1 мас. , не...

Номер патента: 11644

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: C30B 29/10, G02B 5/22, C30B 23/00...

Метки: фильтров, способ, изготовления, отрезающих

Текст:

...кварцевой ампуле и перепаде температуры между зонами испарения и кристаллизации 20-35 С и охлаждают его до комнатной температуры. Способ осуществляется следующим образом. Кристалл твердого раствора 1- с градиентом состава в направлении роста выращивают из паровой фазы из смеси предварительно синтезированных бинарных компонент ( и ) в вакуумированной кварцевой ампуле, в горизонтальной трубчатой печи при температуре кристаллизации 1150-1200...

Номер патента: U 5048

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: выращивания, кристаллов, устройство

Текст:

...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...

Номер патента: 11498

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Шипило Наталья Викторовна, Шемпель Наталья Александровна, Игнатенко Олег Владимирович, Москаленко Анатолий Никитович

МПК: C30B 29/04, B01J 3/06

Метки: алмазов, способ, получения

Текст:

...механически активированного в течение 1-20 часов, а в качестве добавки аммофос при следующем соотношении ингредиентов, мас. аммофос 0,05-0,8 металлрастворитель 30-70 графит - остальное.Сущность изобретения заключается в следующем. Согласно существующим представлениям о механизмах образования и роста алмазов при каталитическом синтезе, алмазы при спонтанной кристаллизации образуются и растут из пересыщенных углеродом расплавов металлов в...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Лугинец Александр Михайлович

МПК: C30B 7/00, C30B 15/00, C30B 9/00...

Метки: выращивания, пленки, способ, монокристаллической, y3al5o12:nd3+

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...

Номер патента: 11417

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Смирнов Геннадий Васильевич, Коморный Александр Анатольевич

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: способ, алмазного, ультрадисперсного, синтеза, порошка, детонационного

Текст:

...сенсибилизатора, в данном случае сплава октоген-тротил. Задачей предлагаемого изобретения является получение универсального заряда для детонационного синтеза алмазных порошков и создание схемы его инициирования для наиболее эффективного использования взрывчатых материалов при сохранении начальных основ детонационного синтеза, опробованных и проверенных известными исследованиями. Поставленная задача достигается тем, что в известном способе...

Номер патента: 11152

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C01B 17/00, C01G 3/12, C01F 7/00...

Метки: синтеза, соединения, шихта, полупроводникового, cual5s8

Текст:

...синтеза полупроводникового соединения 58 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0,0417 - 0,01710,37500,01020,58330,0069, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2)0,10(А 123)0,90, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2)0,497(А 123)0,503 образуется при кристаллизации полупроводникового соединения 58 из расплава...

Номер патента: 11245

Опубликовано: 30.10.2008

Автор: Труханов Сергей Валентинович

МПК: B82B 3/00, C30B 29/10, C01G 45/00...

Метки: манганита, порошка, лантан-бариевого, нанокристаллического, способ, синтеза

Текст:

...выпаривают при 75-150 С до образования геля на основе полиглицерина, и отжигают гель при 250 С в течение 2 ч. Сущность изобретения заключается в том, что при использовании способа синтеза нанокристаллического порошка лантан-бариевого манганита 0,500,503 достигается однородность химического состава магнитного материала с точкой Кюри в области комнатной температуры вследствие использования глицерина в качестве органической матрицы....

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: способ, создания, gaas-элемента, термочувствительного

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 11195

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Каланда Николай Александрович, Кравцов Андрей Валерьевич

МПК: C30B 15/00

Метки: способ, выращивания, монокристалла, kgd(wo4)2:nd3+

Текст:

...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 11/00

Метки: способ, диарсенида, цинка, получения, монокристалла

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич

МПК: C30B 23/00

Метки: кадмия, тетрагональной, способ, получения, монокристалла, модификации, дифосфида

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сорокина Ирина Тиграновна, Кулешов Николай Васильевич, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна, Кисель Виктор Эдвардович, Щербицкий Виктор Георгиевич

МПК: C30B 31/00, C30B 29/10, C30B 33/00...

Метки: легирования, цинка, селенида, кристаллов, способ, хромом

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Номер патента: 10885

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 27/00, C30B 35/00, C30B 13/00...

Метки: зоны, монокристалла, способ, выращивания, плавающей, методом

Текст:

...к основной и дополнительной жидкости, а индекс 12 относится к границе раздела жидкостей. Рассмотрено также влияние продольного и поперечного постоянного магнитного поля на течение и тепломассоперенос. В патентах Японии 01282184 , МПК С 30 В 15/00,01 21/208, 1989 и 11180798 ,МПК 30 29/06,30 13/30,01 21/208, 1999, - поперечное или продольное магнитное поле предлагается использовать для снижения скорости движения расплава. В патенте США...

Номер патента: 10868

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/10, C01B 19/00

Метки: шихта, соединения, синтеза, cualte2, полупроводникового

Текст:

...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...

Номер патента: 10533

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 35/00

Метки: устройство, синтеза, тройных, соединений, полупроводниковых

Текст:

...стенками труб разного диаметра. Предлагаемое устройство является простым по исполнению и имеет ряд преимуществ. Во-первых, оно позволяет благодаря раздельному размещению металлических и легколетучих компонентов синтезировать вещество в контролируемых условиях, когда исключается вероятность взрыва ампулы вследствие большого давления паров летучих компонентов при высоких температурах. Во-вторых, оно позволяет улучшить однородность...

Номер патента: 10411

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Шипило Наталья Викторовна, Дутов Александр Григорьевич

МПК: C30B 29/04, B01J 3/06

Метки: получения, алмазов, способ

Текст:

...(МпхА 1 у), никелем (Ы 1 ХА 1 У) и углеродом (А 14 С 3), что, по-видимому, уменьшает растворимость углерода в расплаве металла.При получении порошков алмаза использовался графит марки ГМЗ-ОСЧ дисперсности 400-800 мкм, которые смешивались с порошком катализатора дисперсности 100400 мкм и микропорошками добавки. Перемешенные порошки затем уплотнялись в прессформе при давлении 0,5 ГПа и помещались в контейнер из литографского камня либо...

Номер патента: 10056

Опубликовано: 30.12.2007

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 30/00, C30B 13/00

Метки: зоны, способ, плавающей, устройство, выращивания, кристалла, методом

Текст:

...ИФЖ. - 2004. - Т. 77. -2. - С. 83-92, - было показано, что стоячие поверхностные волны сильно влияют на структуру течения в жидкой зоне и тепломассоперенос при выращивании кристаллов методом плавающей зоны. Для создания искомого положительного эффекта частота прикладываемой вибрации выбирается таким образом, чтобы на свободной поверхности жидкой зоны укладывалось нужное число периодов стоячей волны. Число периодов инерционно-капиллярных...

Номер патента: 9152

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Калиниченко Владислав Александрович, Калиниченко Александр Сергеевич, Грицук Виталий Дмитриевич

МПК: B01J 3/06, C01B 31/06, C30B 29/04...

Метки: получения, порошка, алмазного, способ

Текст:

...получение алмазного порошка осуществляется путем воздействия высокими давлением и температурой на предварительно активированную гомогенную смесь порошков графита и катализатора, а гомогенную смесь активируют аттриторной обработкой в среде этилового спирта и воздействуют давлением, соответствующим области, расположенной ниже линии фазового равновесия диаграммы состояния. Активация шихты в шаровой мельнице по способу 2 с точки зрения...

Номер патента: 9157

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Грицук Виталий Дмитриевич, Калиниченко Александр Сергеевич, Калиниченко Владислав Александрович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04, B01J 3/06...

Метки: алмазного, способ, получения, порошка

Текст:

...довольно высокой. Задачей изобретения является усовершенствование технологического процесса синтеза алмазных порошков с целью уменьшения его себестоимости за счет снижения термобарических параметров, увеличения срока эксплуатации аппаратуры, повышения выхода синтезируемого продукта. Поставленная задача решается тем, что приготовление шихты из порошка графита и катализатора и синтез при высоких давлениях и температуре, при этом...

Номер патента: 8269

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зубец Александр Владимирович, Климкович Людмила Леонидовна

МПК: C30B 7/14

Метки: способ, выращивания, кристаллов

Текст:

...используют подбираемую эмпирически для каждого процесса пористую перегородку между сообщающимися сосудами из специального материала, которую встраивают в сосуд. Она же является основанием для роста кристаллов. Перегородка разделяет поток подаваемого реагента на большое количество автономных, градиентных, несмешивающихся потоков,приводящих к зарождению и росту множества кристаллов. Это способствует зарастанию перегородки и приводит к...

Номер патента: 7694

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Попов Александр Николаевич, Сидорский Сергей Сергеевич, Казаченко Виктор Павлович, Палий Олег Иванович, Рогачев Александр Александрович

МПК: B24D 3/34, C30B 29/04, C23C 14/32...

Метки: способ, абразивного, получения, покрытия

Текст:

...добавок используют карбидообразующие металлы, выбранные из группы титан, цирконий и хром, а высокотвердый вакуумный конденсат подвергают отжигу при температуре 850-900 С в течение 20-60 минут в защитной атмосфере или вакууме. При этом конденсат содержит, мас.легирующие добавки 22-40 углеродное алмазоподобпое вещество - остальное. Авторами экспериментально установлено, что при формировании на поверхности носителя высокотвердого...

Номер патента: 7371

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Лютич Андрей Андреевич, Витязь Петр Александрович, Шелехина Виктория Михайловна, Прохоров Олег Александрович

МПК: G02B 5/26, C30B 28/04, B01D 21/26...

Метки: способ, изготовления, области, видимой, трехмерного, кристалла, спектра, фотонного

Текст:

...чем меньше размер частиц порошков, тем выше ускорение осаждения для получения ФК с оптимальными оптическими характеристиками. 2 7371 1 2005.09.30 Ускорение в центробежном поле на три порядка больше ускорения свободного падения (9,81 м/с 2). В связи с этим формирование ФК в заявляемом способе происходит за гораздо меньшее время чем в прототипе. Осаждение в центрифуге, как и при свободном осаждении порошков оксида кремния(концентрация в...

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Ширипов Владимир Яковлевич, Федосенко Николай Николаевич, Федосенко Геннадий Николаевич

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02, C23C 14/28...

Метки: алмазоподобной, пленки, получения, способ

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....