C30B 23/00 — Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01B 25/08, C30B 23/00, C30B 29/10...

Метки: оптической, тетрагональной, дифосфида, повышенной, модификации, прочности, кадмия, получения, монокристаллов, способ

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Якимович Владимир Никифорович, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: выращивания, обработки, термической, цинка, селенида, шихты, способ, кристаллов

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C30B 23/00, C01B 25/00

Метки: монокристаллов, фосфида, кадмия, получения, способ, игольчатых

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Номер патента: 11644

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 29/10, C30B 23/00, G02B 5/22...

Метки: способ, отрезающих, фильтров, изготовления

Текст:

...кварцевой ампуле и перепаде температуры между зонами испарения и кристаллизации 20-35 С и охлаждают его до комнатной температуры. Способ осуществляется следующим образом. Кристалл твердого раствора 1- с градиентом состава в направлении роста выращивают из паровой фазы из смеси предварительно синтезированных бинарных компонент ( и ) в вакуумированной кварцевой ампуле, в горизонтальной трубчатой печи при температуре кристаллизации 1150-1200...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович, Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 23/00

Метки: кадмия, тетрагональной, способ, получения, модификации, монокристалла, дифосфида

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...