C01B 19/00 — Селен; теллур; их соединения
Магнитный материал на основе антимонида кобальта
Номер патента: 16318
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Ткаченко Тамара Михайловна, Галяс Анатолий Иванович, Маковецкий Геннадий Иосифович
МПК: C01G 51/00, C01B 19/00, H01F 1/01...
Метки: магнитный, материал, антимонида, кобальта, основе
Текст:
...типа 8 со значительно более высокой температурой магнитного фазового перехода по сравнению с материалом-прототипом. Пример Авторы одновременно получали 1) материал-прототип - антимонид кобальта ,2) материал состава 0,20,8, 3) материал 0,30,7 и 4) материал 0,90,1. Синтез всех четырех материалов (включая прототип) проводили по следующей схеме,обычно применяемой для получения соединений со структурой типа 8 Брали гомогенную смесь исходных...
Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2
Номер патента: 14710
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович
МПК: C01B 19/00, C30B 29/46
Метки: соединения, cualte2, структурой, получения, способ, халькопирита, полупроводникового
Текст:
...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...
Шихта для синтеза полупроводникового соединения CuAlTe2
Номер патента: 10868
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич
МПК: C30B 29/10, C01B 19/00
Метки: полупроводникового, синтеза, cualte2, шихта, соединения
Текст:
...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...