C30B 30/00 — Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий
Способ и устройство для выращивания кристалла методом плавающей зоны
Номер патента: 10056
Опубликовано: 30.12.2007
Автор: Феонычев Александр Иванович
МПК: C30B 30/00, C30B 13/00
Метки: кристалла, способ, устройство, методом, плавающей, зоны, выращивания
Текст:
...ИФЖ. - 2004. - Т. 77. -2. - С. 83-92, - было показано, что стоячие поверхностные волны сильно влияют на структуру течения в жидкой зоне и тепломассоперенос при выращивании кристаллов методом плавающей зоны. Для создания искомого положительного эффекта частота прикладываемой вибрации выбирается таким образом, чтобы на свободной поверхности жидкой зоны укладывалось нужное число периодов стоячей волны. Число периодов инерционно-капиллярных...