Кисель Виктор Эдвардович

Номер патента: U 9813

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Ивашко Алексей Михайлович, Тареев Анатолий Михайлович, Топленикова Татьяна Васильевна, Васильева Ирина Владимировна, Немененок Александр Иванович, Шашков Андрей Михайлович, Кисель Виктор Эдвардович

МПК: H01S 3/16

Метки: излучатель, лазерный, непрерывный

Текст:

...взаимного нагрева благодаря наличию волоконных световодов во-вторых, благодаря применению лазерных диодов накачки, длины волн излучения которых могут отличаться друг от друга на величину 1. Известно, что длина волны излучения лазерного диода увеличивается при нагреве и уменьшается при охлаждении в среднем на 0,3 нм/град, а так как большинство активных сред имеют ограниченную спектральную полосу эффективного поглощения, то в широком диапазоне...

Номер патента: U 7357

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Кисель Виктор Эдвардович, Тареев Анатолий Михайлович, Немененок Александр Иванович, Васильева Ирина Владимировна, Векшин Сергей Константинович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерный, миниатюрный, излучатель

Текст:

...торцом активного элемента,при этом вторая по ходу лучей линза второго объектива установлена с возможностью смещения вдоль оптической оси, а третья по ходу лучей линза установлена с возможностью смещения в плоскости, перпендикулярной оптической оси. Активный элемент излучателя выполнен из кристалла алюмоиттриевого граната, активированного ионами иттербия. Установка активного элемента с возможностью поперечного смещения относительно...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Немененок Александр Иванович, Васильева Ирина Владимировна, Кисель Виктор Эдвардович, Тареев Анатолий Михайлович, Батюшков Валентин Вениаминович, Векшин Сергей Константинович, Курильчик Сергей Владимирович, Кулешов Николай Васильевич

МПК: H01S 3/16

Метки: миниатюрный, диодной, твердотельный, лазер, накачкой

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Кисель Виктор Эдвардович, Кулешов Николай Васильевич, Щербицкий Виктор Георгиевич, Левченко Владимир Иванович, Сорокина Ирина Тиграновна

МПК: C30B 31/00, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: легирования, селенида, хромом, кристаллов, цинка, способ

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...