Голякевич Татьяна Васильевна

Номер патента: 12388

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: G02F 1/29

Метки: дефлектор, лазерного, луча

Текст:

...угла отклонения оптического луча, снижении потребляемой электрической мощности, расширении оптического диапазона частот отклоняемых оптических лучей. В заявляемом дефлекторе решение этой задачи достигается тем, что в известном дефлекторе монокристаллический активный элемент выполнен из дифосфида цинка или кадмия тетрагональной модификации с термически индуцированным в пространстве и во времени градиентом показателя преломления, при этом угол...

Номер патента: 12152

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: G01B 11/26, G01B 9/00

Метки: поворота, устройство, угла, измерения, объекта, визуального

Текст:

...(вправо или влево). Это устройство измеряет углы поворота объекта только в одной плоскости. Недостатки устройства в том, что оно обладает малым быстродействием, имеет невысокую чувствительность фотоприемника и измерительной схемы, на точность измерения существенно влияют флуктуации мощности источника света, сложность в настройке. Задача изобретения - повышение точности измерения и быстродействия в условиях визуального наблюдения малых углов...

Номер патента: 11840

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: G01F 23/22

Метки: уровнемер, оптический

Текст:

...в жидкой фазе, градиент показателя преломления практически отсутствует, поскольку теплопроводность материала, из которого выполнен детектор, и теплопроводность жидкости являются величинами одного порядка, и тепловой импульс быстро рассеивается в большой массе жидкости. При нахождении оптических детекторов в паровой фазе практически весь тепловой поток проходит через детекторы, так как теплопроводность пара более чем на порядок меньше...

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: C30B 11/00

Метки: монокристалла, способ, цинка, получения, диарсенида

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 23/00

Метки: способ, получения, модификации, дифосфида, монокристалла, тетрагональной, кадмия

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович, Мица Александр Владимирович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: G02B 1/10, G02B 5/28

Метки: тетрагональной, оптического, модификации, просветляющее, двухкомпонентное, дифосфида, покрытие, ахроматическое, кадмия, элемента, монокристаллического

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...