Феонычев Александр Иванович
Способ выращивания монокристалла методом плавающей зоны
Номер патента: 10885
Опубликовано: 30.08.2008
Автор: Феонычев Александр Иванович
МПК: C30B 27/00, C30B 35/00, C30B 13/00...
Метки: методом, плавающей, зоны, монокристалла, выращивания, способ
Текст:
...к основной и дополнительной жидкости, а индекс 12 относится к границе раздела жидкостей. Рассмотрено также влияние продольного и поперечного постоянного магнитного поля на течение и тепломассоперенос. В патентах Японии 01282184 , МПК С 30 В 15/00,01 21/208, 1989 и 11180798 ,МПК 30 29/06,30 13/30,01 21/208, 1999, - поперечное или продольное магнитное поле предлагается использовать для снижения скорости движения расплава. В патенте США...
Способ и устройство для выращивания кристалла методом плавающей зоны
Номер патента: 10056
Опубликовано: 30.12.2007
Автор: Феонычев Александр Иванович
МПК: C30B 30/00, C30B 13/00
Метки: устройство, кристалла, плавающей, способ, методом, зоны, выращивания
Текст:
...ИФЖ. - 2004. - Т. 77. -2. - С. 83-92, - было показано, что стоячие поверхностные волны сильно влияют на структуру течения в жидкой зоне и тепломассоперенос при выращивании кристаллов методом плавающей зоны. Для создания искомого положительного эффекта частота прикладываемой вибрации выбирается таким образом, чтобы на свободной поверхности жидкой зоны укладывалось нужное число периодов стоячей волны. Число периодов инерционно-капиллярных...