Патенты с меткой «где»
Способ выращивания монокристаллов LnBaCo2O5+x, где Ln – Eu,Gd,Tb,Dy
Номер патента: 12461
Опубликовано: 30.10.2009
Авторы: Барило Сергей Николаевич, Шестак Анатолий Сергеевич, Ширяев Сергей Витальевич, Бычков Георгий Леонидович
МПК: C30B 9/00, C30B 29/10
Метки: выращивания, lnbaco2o5+x, eu,gd,tb,dy, где, способ, монокристаллов
Текст:
...шихту из порошков карбоната бария ВаСО 3 и оксида кобальта СО 3 О 4 в соотношении 23. Загруженный алундовый тигель помещают в вертикальную электрическую нагревательную печь, включают нагрев со скоростью 100-150 С/ч, нагревают до температуры 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 12 ч для разложения ВаСО 3. Далее продолжают нагрев с той же скоростью до появления расплава, который определяется визуально по появлению на поверхности...