Патенты с меткой «kgd(wo4)2:nd3+»
Способ выращивания монокристалла KGd(WO4)2:Nd3+
Номер патента: 11195
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Кравцов Андрей Валерьевич, Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич
МПК: C30B 15/00
Метки: kgd(wo4)2:nd3+, монокристалла, выращивания, способ
Текст:
...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...