C30B 31/00 — Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сорокина Ирина Тиграновна, Щербицкий Виктор Георгиевич, Кисель Виктор Эдвардович, Левченко Владимир Иванович, Кулешов Николай Васильевич, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 31/00, C30B 29/10, C30B 33/00...

Метки: кристаллов, селенида, цинка, легирования, способ, хромом

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...