Маренкин Сергей Федорович
Способ получения монокристаллического антимонида марганца
Номер патента: 17952
Опубликовано: 28.02.2014
Авторы: Изотов Александр Дмитриевич, Трухан Владимир Михайлович, Малышев Максим Леонидович, Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна
МПК: C30B 29/10, C01G 45/00, C30B 21/02...
Метки: способ, получения, монокристаллического, марганца, антимонида
Текст:
...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...
Способ получения магнитного полупроводникового материала
Номер патента: 15345
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна
МПК: H01F 1/40, C30B 29/10, C01G 28/00...
Метки: способ, материала, получения, магнитного, полупроводникового
Текст:
...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...
Способ получения магнитного полупроводникового материала
Номер патента: 15330
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович
МПК: C01B 25/08, H01F 1/40, C30B 29/10...
Метки: способ, магнитного, получения, полупроводникового, материала
Текст:
...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...
Способ получения игольчатых монокристаллов фосфида кадмия
Номер патента: 14072
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна
МПК: C01B 25/00, C30B 23/00
Метки: фосфида, способ, получения, монокристаллов, игольчатых, кадмия
Текст:
...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...
Способ получения магнитного полупроводникового материала
Номер патента: 13391
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович
МПК: H01F 1/40, C30B 29/10
Метки: получения, материала, магнитного, полупроводникового, способ
Текст:
...температур (650-660) С, выдерживают температуру 0,5-1 ч, затем в течение 1,50,5 ч повышают до (930-950) С и проводят вибрационное перемешивание в течение 1,5-2 ч, понижают температуру до (610-620) С с последующими гомогенизирующим отжигом в течение 120 ч и закалкой со скоростью 5-10 град/с. На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа образца состава 0,90,12. На фиг. 2 приведены термограммы твердого раствора 0,900,102 1 - кривая...