Климкович Людмила Леонидовна
Способ выращивания кристаллов
Номер патента: 8269
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Климкович Людмила Леонидовна, Зубец Александр Владимирович
МПК: C30B 7/14
Метки: способ, кристаллов, выращивания
Текст:
...используют подбираемую эмпирически для каждого процесса пористую перегородку между сообщающимися сосудами из специального материала, которую встраивают в сосуд. Она же является основанием для роста кристаллов. Перегородка разделяет поток подаваемого реагента на большое количество автономных, градиентных, несмешивающихся потоков,приводящих к зарождению и росту множества кристаллов. Это способствует зарастанию перегородки и приводит к...