Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич

МПК: C30B 29/10, C30B 23/00, C01B 25/08...

Метки: тетрагональной, монокристаллов, повышенной, способ, модификации, кадмия, оптической, прочности, дифосфида, получения

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Номер патента: 16848

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колесова Ирина Михайловна, Кравцов Андрей Валерьевич, Конойко Алексей Иванович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович

МПК: C30B 29/14, C30B 9/12, C30B 15/36...

Метки: титанил-фосфата, способ, калия, монокристаллов, выращивания

Текст:

...монокристаллов титанил-фосфата калия больших размеров и высокого оптического качества. Поставленная задача решается способом выращивания монокристалла титанилфосфата калия, в котором на монокристаллической затравке, основание которой ориентировано в плоскости (100), формируют боковые грани в плоскостях (1 1 0), (110), (20 1 ) и(201), затравку медленно опускают в состоящий из кристаллообразующих окислов и растворителя 6413 раствор-расплав,...

Номер патента: 16493

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Рыжковский Владимир Михайлович, Митюк Виктор Иосифович, Говор Геннадий Антонович

МПК: H01F 1/01, C30B 29/10, C01G 45/00...

Метки: основе, марганца, магнитных, рефрижераторов, материал, арсенида, монокристаллов

Текст:

...фазового состава были измерены дифрактограммы визлучении на порошковых образцах. Анализ дифрактограмм показал, что образцы являются однофазными. Предварительная ориентация кристаллов, заключающаяся в определении осей легкого и трудного намагничивания, производилась в магнитном поле. После предварительного ориентирования монокристаллов в магнитном поле плоскости легкого и трудного намагничивания выводились рентгеновским методом с точностью в...

Номер патента: 15447

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Петров Сергей Александрович, Шаронов Геннадий Викторович

МПК: G01B 15/08

Метки: определения, алмаза, способ, шероховатости, поверхности, монокристаллов, рентгеновский

Текст:

...на рентгеновской установке УРС 60 с использованием гониометра ГУР-5 и -излучения. Монохроматором служит пластина совершенного кристалла кремния с косым срезом относительно ее отражающей плоскости (111), что позволяет получить практически параллельный пучок. Последнее снижает вклад расходимости пучка в полуширину кривой отражения, и сводит к минимуму инструментальную ошибку при измерениях, и тем самым увеличивает точность определения полуширины...

Номер патента: 14280

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Барило Сергей Николаевич, Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич

МПК: C30B 29/10, C30B 17/00, C30B 9/00...

Метки: выращивания, монокристаллов, способ, lamno3+, манганита, лантана

Текст:

...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C01B 25/00, C30B 23/00

Метки: кадмия, игольчатых, получения, способ, монокристаллов, фосфида

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Номер патента: 12461

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Барило Сергей Николаевич, Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич, Шестак Анатолий Сергеевич

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: eu,gd,tb,dy, выращивания, монокристаллов, lnbaco2o5+x, способ, где

Текст:

...шихту из порошков карбоната бария ВаСО 3 и оксида кобальта СО 3 О 4 в соотношении 23. Загруженный алундовый тигель помещают в вертикальную электрическую нагревательную печь, включают нагрев со скоростью 100-150 С/ч, нагревают до температуры 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 12 ч для разложения ВаСО 3. Далее продолжают нагрев с той же скоростью до появления расплава, который определяется визуально по появлению на поверхности...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: B24D 3/00, B24D 5/12

Метки: монокристаллов, кромкой, сингонии, резки, алмазный, режущей, кубической, пластины, внутренней, круг

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Номер патента: 1347

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Януть Виктор Иосифович, Вабищевич Иван Александрович, Цедрик Михаил Семенович, Василевский Сергей Александрович, Марголин Леонид Наумович

МПК: C30B 7/08, C30B 29/54

Метки: монокристаллов, получения, способ, модифицированных, триглицинсульфата

Текст:

...и охлаждают до температуры, позволяющей получить максимальное количество поликристаллического вещества полученное поликристаллическое вещество ТСтБШ отделяют от жидкой фазы и разделяют на две части. Из одной части получают Ненасыщенный водный раствор при температуре кристаллизатора, которым заполняют кристаллизатор и обогатитель двухтермостатной установки, а вторую часть поликристаллического вещества помещают в обогатитель. Между...