C01G 3/12 — сульфиды
Шихта для синтеза полупроводникового соединения CuAl5S8
Номер патента: 11152
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна
МПК: C01F 7/00, C01G 3/12, C01B 17/00...
Метки: соединения, шихта, полупроводникового, cual5s8, синтеза
Текст:
...синтеза полупроводникового соединения 58 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0,0417 - 0,01710,37500,01020,58330,0069, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2)0,10(А 123)0,90, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2)0,497(А 123)0,503 образуется при кристаллизации полупроводникового соединения 58 из расплава...